Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Перенос заряда в планарных структурах на основе халькогенидной системы (As2Se3)100-xBix
Переводная версия: 10.1134/S1063782619160127 
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия 
2Военная академия связи им. Маршала Советского Союза С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
2Военная академия связи им. Маршала Советского Союза С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
Email: rakot1991@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.
Представлены результаты исследования процессов переноса заряда в тонких слоях стеклообразной системы (As2Se3)100-xBix. Обнаружена степенная зависимость удельной проводимости от частоты и уменьшение значения показателя степени s с ростом температуры. Перенос заряда является термически активированным процессом с наличием двух участков на температурной зависимости проводимости с энергиями активации E1=0.12±0.01 и E2=0.23±0.01 эВ соответственно. Полученные результаты объясняются в рамках CBH модели прыжковой проводимости в неупорядоченных системах. Проведен расчет основных микропараметров системы: плотности локализованных состояний (N), длины прыжка (Romega), максимального значения высоты потенциального барьера (WM). Ключевые слова: стеклообразная система (As2Se3)100-xBix, диэлектрическая спектроскопия, удельная проводимость, гэп-структуры, рентгеноструктурный анализ.
- D. Cha., H. Kim., Y. Hwang., J. Jeong., J. Kim. Appl. Optics, 51 (23), 5649 (2012)
- G.E. Snopatin., V.S. Shiryaev, V.G. Plotnichenko, E.M. Dianov, M.F. Churbanov. Inorg. Mater., 45 (13), 1439 (2009)
- J. Charrier, M.L. Brandily, H. Lhermite, K. Michel, B. Bureau, F. Verger, V. Nazabal. Sensors Actuators B: Chem., 173, 468 (2012)
- B. Zhang, W. Guo, Y. Yu, C. Zhai, S. Qi, A. Yang, L. Li, Z. Yang, R. Wang, D. Tang, G. Tao, B. Luther-Davies. J. Am. Ceramic Soc., 98 (5), 1389 (2015)
- S. Kurmar, B.R. Mehta, S.C. Kashyap, K.L. Chopra. Appl. Phys. Lett., 52 (1), 24 (1988)
- R.A. Castro, F.S. Nasredinov. Glass Phys. and Chem., 32 (4), 412 (2006)
- R.A. Castro, S.A. Nemov, P.P. Seregin. Semiconductors, 40 (8), 898 (2006)
- Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Э.А. Сморгонская, К.Д. Цэндин. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
- R.A. Castro, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova, G.I. Grabko. Semiconductors, 43 (3), 365 (2009)
- R.A. Castro, V.A. Bordovsky, G.I. Grabko. Glass Phys. and Chem., 35 (1), 43 (2009)
- N.I. Anisimova, V.A. Bordovsky, G.A. Bordovsky. Rad. Eff. Def. Solids, 156 (1), 359 (2002)
- М.И. Корсунский. Физика рентгеновых лучей (М.-Л., OHTИ, 1936)
- N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in non-crystalline Materials. (Calendon Press, Oxford, 1979)
- S.R. Elliot. Adv. Phys., 36 (2), 135 (1987)
- I.G. Austin, N.F. Mott. Adv. Phys., 18 (71), 41 (1969)
- M. Saiter, T. Derrey, C. Vautier. J. Non-Cryst. Sol., 77-78, 1169 (1985)
- Б.Л. Гельмонт, К.Д. Цэндин. ФТП, 6, 1040 (1983)
- D.B. Hyun, J.S. Hwang, B.C. You. J. Mater. Sci., 33, 5595 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
