Вышедшие номера
Определение параметров латерального и нестационарного шнурового токов в цилиндрическом халькогенидном стеклообразном полупроводнике
Переводная версия: 10.1134/S1063782619160279
Совтус Н.В.1, Мынбаев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: spnick93@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Для полупроводниковой системы Ge-Sb-Te цилиндрической конфигурации приближенно решено уравнение теплопроводности, описывающее токовый шнур в полупроводнике. Показано, что при бесконечно больших временах ток в шнуре пропорционален квадрату максимальной температуры в центре шнура и обратно пропорционален величине приложенного электрического поля. Оценен масштаб латерального тока, протекающего перпендикулярно току основного шнура, и установлено, что латеральный ток мал по сравнению с током, протекающим в шнуре, так что возникновение латеральных шнуров, растущих из основного шнура, мало вероятно. Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, эффект памяти, шнурование тока, латеральный ток.
  1. B.T. Kolomiets. Phys. Status Solidi B, 7, 359 (1964)
  2. S. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1968)
  3. N. Croitoru, C. Popescu. Rev. Rom. Phys., 16, 129 (1971)
  4. D. Thomas, J. Male. J. Non-Cryst. Sol., 8--10, 522 (1972)
  5. И.В. Печенежский, С.И. Дорожкин. Письма ЖЭТФ, 88 (2), 137 (2008)
  6. N. Bogoslovskiy, K. Tsendin. Solid-State Electron., 129, 10 (2017)
  7. M. Nardone, M. Simon, I.V. Karpov, V.G. Karpov. J. Appl. Phys., 112, 071101 (2012)
  8. H.S.P. Wong, S. Raoux, S.B. Kim, J. Liang, J.P. Reifenberg, B. Rajendran, M. Asheghi, K.E. Goodson. Proc. IEEE, 98, 2201 (2010)
  9. G.W. Burr, M.J. Brightsky, A. Sebastian, H.Y. Cheng, J.Y. Wu, S. Kim, N.E. Sosa, N. Papandreou, H.L. Lung, H. Pozidis, E. Eleftheriou, C.H. Lam. IEEE J. Select. Top. Circ. Syst., 6, 146 (2016)
  10. W. Zhang, R. Mazzarello, M. Wuttig, E. Ma. Nature Rev. Mater., 4, 150 (2019)
  11. P. Yeoh, Y. Ma, D.A. Cullen, J.A. Bain, M. Skowronski. Appl. Phys. Lett., 114, 163507 (2019)
  12. А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова, В.З. Зейналов. ФТП, 46, 1138 (2012)
  13. Э.А. Лебедев, С.А. Козюхин, Н.Н. Константинова, Л.П. Казакова. ФТП, 43, 1383 (2009)
  14. К.Д. Цэндин, Н.А. Богословский. ФТП, 46, 577 (2012)
  15. Б.Л. Гельмонт, К.Д. Цэндин. Электронные явления в некристаллических полупроводниках (Л., Наука, 1976) с. 177
  16. A.H.M. Shousha. J. Appl. Phys., 42, 5131 (1971)
  17. Б.Л. Гельмонт, К.Д. Цэндин. ФТП, 10, 1119 (1976)
  18. А.М. Попов, С.М. Сальников, Ю.В. Ануфриев. ФТП, 49, 509 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.