Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние примеси самария на локальную структуру халькогенидного стеклообразного полупроводника Se95Te5 и механизм прохождения тока через структуры Al-Se95Te5<Sm>-Te
Переводная версия: 10.1134/S1063782619160048 
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан 
2Университет Хазар, A Баку, Азербайджан
2Университет Хазар, A Баку, Азербайджан
Email: seva_atayeva@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 января 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.
Методами рентгеноструктурного анализа и атомно-силовой микроскопии исследовано влияние легирования самарием на локальную структуру и морфологические особенности поверхности пленок ХСП системы Se95Te5, а также измерением вольт-амперных характеристик в стационарном режиме рассмотрено влияние легирования на механизм токопрохождения через структуры Al-Se95Те5<Sm>-Te. Интерпретация полученных результатов проведена на основе теории инжекционных токов Ламперта, пустотно-кластерной модели Эллиота и модели заряженных дефектов Мотта и Стрита, предложенных для халькогенидных стекол. Ключевые слова: халькогенидные стекла, первый резкий дифракционный максимум, локальная структура, вольт-амперная характеристика, монополярная инжекция.
- I. Aggarwal, J. Sanghera. J. Optoelectron. Adv. Mater., 4 (3), 665 (2002)
- Y. Ruan, W. Li., R. Jarvis, N. Madsen, A. Rode, B. Luther-Davies. Opt. Express., 12, 5140 (2004)
- A. Zakery, S. Elliott. J. Non-Cryst. Sol., 330, 1 (2003)
- S.G. Bishop, D.A. Tumbull, B.G. Aitken. J. Non-Cryst Sol., 266, 876 (2000)
- T. Carrig. J. Electron. Mater., 31, 759 (2002)
- Н.Ф. Мотт, Э.А. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N. Mott, E. Davis. Electronic processes in non-cryst. solids]
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
- Р.К. Келбиханов. Автореф. канд. дис. (Махачкала, 2008)
- F. Sava, A. Lorinczi, M. Popescu, G. Sokol, E. Axente, I.N. Mihailscu, M. Nistor. J. Optoelectron. Adv. Mater., 8 (4), 1367 (2006)
- L.E. Busse, S.R. Nagel. Phys. Rev. Lett., 41, 1848 (1981)
- K. Tanaka. Phil. Mag. Lett., 57, 183 (1988)
- T.S. Kavetskyy, O.I. Shpotyuk, V.T. Boyko. J. Phys. and Chem. Solids, 68, 712 (2007)
- T.S. Kavetskyy, O.I. Shpotyuk. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7, 2267 (2007)
- С.И. Мехтиева, А.И. Исаев, Э.А. Мамедов, Г.К. Акберов, В.З. Зейналов. Изв. НАН Азербайджанa, N 5 (I), 22 (2003)
- S.R. Elliott. Phys. Rev. Lett., 67, 711 (1991)
- S.R. Elliott. J. Non-Cryst. Sol., 182, 40 (1995)
- P.H. Gaskell. J. Non-Cryst. Sol., 351, 1003 (2005)
- P.H. Gaskell. J. Non-Cryst. Solids, 351, 1003 (2005)
- O.P. Rachek. J. Non-Cryst. Solids, 352, 3781 (2006)
- Н. Мотт, Р. Генри. Электронные процессы в ионных кристаллах. (М. Изд-во Иностр. лит. 1950)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- A.I. Isayev, S.I. Mekhtieva, N.Z. Jalilov, R.I. Alekperov, G.K. Akberov. Sol. St. Commun., 149, ISS 1-2, 45 (2009)
- Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Н.Б. Захарова, И.И. Ятлинко. ФТП, 27 (6), 959 (1993)
- L.P. Kazakova, E.A. Lebedev, N.B. Zakharova, I.I. Yatlinko, A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva. J. Non-Cryst. Sol., 167, 65 (1994)
- R.A. Street, N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35, 1293 (1975)
- M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 37, 1504 (1976)
- H. Fritzsche, M. Kastner. Phil. Mag. B., 37, 295 (1978)
- F.N. Ignatiev, V.G. Karpov, M.I. Klinger. J. Non-Cryst. Sol., 55, 307 (1983)
- С.И. Мехтиева, А.И. Исаев, Э.А. Мамедов. Сб. тр. III Междунар. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2002)
- Э.А. Мамедов. Автореф. канд. дис. (Баку, 2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
