"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Когерентное и последовательное туннелирование в резонансно-туннельном диоде со спейсером
Ларкин И.А.1, Ханин Ю.Н.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук,, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 9 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

В работе представлены вольт-амперные характеристики резонансно-туннельных диодов со спейсерами. Рассмотрена теоретическая модель для описания туннелирования через две ямы. Теоретически изучено влияние электронного рассеяния на туннелирование электронов. Получены универсальные выражения, описывающие как когерентное, так и последовательное туннелирование.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.