"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационные дефекты в кремнии, облученном alpha-частицами при низкой температуре
Берман Л.С.1, Иванов А.М.1, Павлова М.Л.1, Ременюк А.Д.1, Строкан Н.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

Сравнивается образование и отжиг радиационных дефектов в n-кремнии (p~15 Ом·см), облученном при 170 и 300 K alpha-частицами с энергией 5 МэВ, с интенсивностью 2.5·106 см-2·с-1 , дозой 2.5 ·1011 см-2. Концентрация радиационных дефектов измерялась емкостным методом в слое 1.4-6.0 мкм от поверхности образца, где средняя энергия alpha-частиц равна 4 МэВ. В интервале температур 170-300 K как для n-Si (Cz), так и для n-Si (fz) скорости введения A-центров близки и незначительно зависят от температуры; концентрация вакансий определяется не аннигиляцией пар Френкеля, а их взаимодействием с примесями и дефектами структуры. Оценивается порядок образования пары Френкеля sigmaFP>~=0.1·10-24 см2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.