ФТП, 2010, том 44, выпуск 3ФТП, 2010, том 44, выпуск 3| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Магомедов М.Н. Параметры самодиффузии в кристаллах подгруппы углерода | 289 |
|---|---|
| Феклистов К.В., Федина Л.И., Черков А.Г. Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации | 302 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Кязым-заде А.Г., Салманов В.М., Салманова А.А., Алиева А.М., Ибаева Р.З. Фотопроводимость и люминесценция кристаллов GaSe при высоких уровнях оптического возбуждения | 306 |
| Ромака В.А., Fruchart D., Hlil E.K., Гладышевский Р.Е., Gignoux D., Ромака В.В., Кужель Б.С., Крайовский Р.В. Особенности интерметаллического полупроводника -ZrNiSn, сильно легированного атомами редкоземельных металлов | 310 |
| Дмитриев А.И., Моргунов Р.Б., Казакова (O.L. Kazakova) О.Л. Влияние отжига на микроволновое магнетосопротивление в тонких пленках GeMn | 320 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Лисоченко В.Н., Конакова Р.В., Коноплев Б.Г., Кушнир В.В., Охрименко О.Б., Светличный А.М. Уменьшение поглощения в структурах кварц/Si, кварц/Si/SiO и SiC/Si/SiO под влиянием лазерной обработки | 326 |
| Усмонов Ш.Н., Мирсагатов Ш.А., Лейдерман А.Ю. Исследование вольт-амперной характеристики гетероструктуры -CdS/-CdTe в зависимости от температуры | 330 |
| Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шаповал П.Й., Петрусь Р.Ю. Фоточувствительность гетеропереходов -CdS/-CdTe, полученных химическим поверхностным осаждением CdS | 335 |
| Мездрогина М.М., Даниловский Э.Ю., Кузьмин Р.В. Сенсибилизация излучения и механизмы миграции электронных возбуждений в структурах на основе III-нитридов, легированных редкоземельными элементами (Eu, Er, Sm) | 338 |
| Низкоразмерные системы | |
| Новиков А.В., Яблонский А.Н., Платонов В.В., Оболенский С.В., Лобанов Д.Н., Красильник З.Ф. Влияние радиационного воздействия на люминесцентные свойства низкоразмерных гетероструктур SiGe/Si(001) | 346 |
| Кучерова О.В., Зубков В.И., Соломонов А.В., Давыдов Д.В. Наблюдение локализованных центров с аномальным поведением в светоизлучающих гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN | 352 |
| Гуляев Д.В., Журавлев К.С. Форма рельефа гетерограниц в (311)А-ориентированных структурах GaAs/AlAs | 358 |
| Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты | |
| Агафонова Е.А., Мартышов М.Н., Форш П.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Влияние термического окисления на перенос носителей заряда в наноструктурированном кремнии | 367 |
| Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Геллер Н.М., Иванов А.Г., Шаманин В.В. Гетеропереходы полисалицилиденазометины/Si (GaAs): создание и свойства | 372 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Журавлева О.В., Иванов А.В., Курносов В.Д., Курносов К.В., Романцевич В.И., Чернов Р.В. Оценка надежности полупроводникового излучателя ИЛПН-134 | 377 |
| Анисимов О.В., Гаман В.И., Максимова Н.К., Найден Ю.П., Новиков В.А., Севастьянов Е.Ю., Рудов Ф.В., Черников Е.В. Влияние золота на свойства сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO | 383 |
| Закгейм А.Л., Курышев Г.Л., Мизеров М.Н., Половинкин В.Г., Рожанский И.В., Черняков А.Е. Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaN флип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии | 390 |
| Поклонский Н.А., Горбачук Н.И., Шпаковский С.В., Ластовский С.Б., Wieck A. Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами | 397 |
| Кузнецов В.П., Кузнецов М.В., Красильник З.Ф. Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 K | 402 |
| Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур | |
| Богатыренко В.В. Метод измерения скорости поверхностной рекомбинации в кремниевых пластинах по их тепловому излучению | 409 |
| Кузнецов В.П., Красильник З.Ф. Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структур на основе кремния | 413 |
| Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Юрасов Д.В. Использование кластерных вторичных ионов Ge, Ge для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС | 418 |
| Садофьев Ю.Г., Samal N., Андреев Б.А., Гавриленко В.И., Морозов С.В., Спиваков А.Г., Яблонский А.Н. Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм | 422 |