Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительность гетеропереходов n-CdS/p-CdTe, полученных химическим поверхностным осаждением CdS

Ильчук Г.А.¹, Кусьнэж В.В.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.³, Шаповал П.Й.¹, Петрусь Р.Ю.¹

¹Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 1 июня 2009 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Разработана новая технология химического поверхностного осаждения и получены тонкие пленки CdS (35-100 нм) на подложках p-CdTe. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-CdS/p-CdTe, и показано, что развитый метод обеспечивает высокую эффективность фотопреобразования в диапазоне, ограничиваемом ширинами запрещенных зон СdTe и CdS. Показана возможность применения метода химического поверхностного осаждения CdS при создании тонкопленочных солнечных элементов n-CdS/p-CdTe.

Т. Коутс, Д. Микин. Современные проблемы полупроводниковой электроники (М., Мир, 1988)
P.V. Meyers, S.P. Albright. Progr. Photovolt. Res. Appl., 8, 161 (2000)
M. Estela Calixto, M. Tufino-Velazquez, G. Contreras-Puente, O. Vigil-Galan, M. Jimenez-Escamilla, R. Mendoza-Perez, J. Sastre-Hernandez, A. Morales-Acevedo. Thin Sol. Films, 516, 7004 (2008)
B.E. McCandless, W.N. Shafarman. 3rd World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (Japan, 2003. 562 p.)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. (М., Мир, 1984)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1978)
П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов (Киев, Наук. думка, 1975)
E. Hernandez. Cryst. Res. Technol., 33, 285 (1998)
Г. Ламперг, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
Physics and Chemistry of II--VI Compounds, ed. by M. Aven, J.S. Prener (North-Holland, Amsterdam, 1967)
Г.А. Ильчук, В.И. Иванов-Омский, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Р.Н. Бекимбетов, Н.А. Украинец. ФТП, 34, 1099 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель