ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии

А.В.Алуев\kern1pt*, А.Ю.Лешко, А.В.Лютецкий, Н.А.Пихтин, С.О.Слипченко, Н.В.Фетисова,
А.А.Чельный\kern1pt*, В.В.Шамахов\kern1pt*,, В.А.Симаков\kern1pt*, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* ФГУП НИИ << Полюс>> им. М.Ф. Стельмаха,
117342 Москва, Россия

(Получена 4 сентября 2008 г. Принята к печати 22 сентября 2008 г.)

Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены лазерные гетероструктуры GaInAsP/GaInP/AlGaInP с узким симметричным волноводом и широким асимметричным волноводом. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 808 нм. Показано, что нанесение диэлектрических зеркал (SiO2/Si) на грани резонатора Фабри--Перо полупроводниковых лазеров, не содержащих алюминий, не приводит к оптической катастрофической деградации зеркал. Установлено, что максимально достижимая мощность излучения в лазерах, не содержащих алюминий, ограничена катастрофической оптической деградацией лазерной структуры. В лазерных диодах с узким симметричным волноводом достигнута максимальная оптическая мощность 5.1 Вт, а для широких с асимметричным волноводом --- 9.9 Вт.

PACS: 42.55.Px, 78.45.+h, 81.15.Gh

 PDF версия (157Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster