Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Резонансное детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом
Антонов А.В.1, Гавриленко В.И.1, Маремьянин К.В.1, Морозов С.В.1, Teppe F.2, Knap W.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Groupe d'Etude de Semiconducteurs, CNRS
2Groupe d'Etude de Semiconducteurs, CNRS
Поступила в редакцию: 7 августа 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
Исследовано резонансное детектирование терагерцового излучения субмикронными полевыми транзисторами GaAs/AlGaAs (длина затвора L=250 нм) с двумерным электронным газом в канале при T=4.2 K. Для таких транзисторов впервые продемонстрировано смещение максимума отклика (фотоэдс сток-исток) с ростом частоты в область больших напряжений на затворе в соответствии с моделью Дьяконова-Шура. Показано, что при повышении температуры до 77 K зависимость фотоэдс от напряжения на затворе становится нерезонансной, что связано с уменьшением подвижности. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be, 72.30.+q, 73.40.Kp, 73.63.Hs
- S.W. Smye, J.M. Chamberlain, A.J. Fitzgerald, E. Berry. Phys. Med. Biol., 46, R101 (2001)
- M. Kroug, S. Cherednichenko, H. Merkel, E. Kollberg, B. Voronov, G. Gol'tsman, H.W. Huebers, H. Richter. IEEE Trans. Appl. Supercond., 11, 962 (2001)
- P.J. Burke, R.J. Schoelkopf, D.E. Prober, A. Skalare, B.S. Karasik, M.C. Gaidis, W.R. Mc Grath, B. Bumble, H.G. Le Duc. J. Appl. Phys., 85, 1644 (1999)
- B.S. Karasik, W.R. Mc Grath, M.E. Gershenson, A.V. Sergeev. J. Appl. Phys., 87, 7586 (2000)
- T.W. Crow, R.J. Mattauch, R.M. Weikle, U.V. Bhapkar. Compound Semiconductor Electronics, ed. by M. Shur (Singapore, World Scientific Publishing, 1996) c. 209
- S.M. Marazita, W.L. Bishop, J.L. Hesler, K. Hui, W.E. Bowen, T.W. Crowe. IEEE Trans. Electron. Dev., 47, 1152 (2000)
- E.E. Haller, J.W. Beeman. Proc of Far-IR, Sub-mm \& mm Detector Technology Workshop (Monterey, USA, 2002) p. 201
- M.I. Dyakonov, M.S. Shur. IEEE Trans. Electron. Dev., 43 (3), 380 (1996)
- X.G. Peralta, S.J. Allen, M.C. Wanker, N.E. Harff, J.A. Simmons, M.P. Lilly, J.L. Reno, P.J. Burke, J.P. Eisenstein. Appl. Phys. Lett., 81 (9), 1627 (2002)
- E.A. Shaner, A.D. Grine, M.C. Wanke, Mark Lee, J.L. Reno, S.J. Allen. IEEE Photon. Techn. Lett., 18 (18), 1925 (2006)
- T. Otsuji, M. Hanabe, O. Ogawara. Appl. Phys. Lett., 85, 2119 (2004)
- A.El Fatimy, F. Teppe, N. Dyakonova, W. Knap, D. Seliuta, G. Valusis, A. Shchepetov, Y. Roelens, S. Bollaert, A. Cappy, S. Rumyantsev. Appl. Phys. Lett., 89, 131 926 (2006)
- F. Teppe, M. Orlov, A. El Fatimy, A. Tiberj, W. Knap, J. Torres, V. Gavrilenko, A. Shchepetov, Y. Roelens, S. Bollaert. Appl. Phys. Lett., 89, 222 109 (2006)
- J. Torres, P. Nouvel, A. Akwoue-Ondo, L. Chusseau, F. Teppe, A. Shchepetov, S. Bollaert. Appl. Phys. Lett., 89, 201 101 (2006)
- A. El Fatimy, S. Boubanga Tombet, F. Teppe, W. Knap, D.B. Veksler, S. Rumyantsev, M.S. Shur, N. Pala, R. Gaska, Q. Fareed, X. Hu, D. Seliuta, G. Valusis, C. Gaquiere, D. Theron, A. Cappy. Electron. Lett., 42 (23), 1342 (2006)
- W. Knap, Y. Deng, S. Rumyantsev, J.-Q. Lu, M.S. Shur, C.A. Saylor, L.C. Brunel. Appl. Phys. Lett., 80, 3433 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
