"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
Алуев А.В.1, Лешко А.Ю.2, Лютецкий А.В.2, Пихтин Н.А.2, Слипченко С.О.2, Фетисова Н.В.2, Чельный А.А.1, Шамахов В.В.1, Симаков В.А.1, Тарасов И.С.2
1ФГУП НИИ Полюс им. М.Ф. Стельмаха, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 сентября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены лазерные гетероструктуры GaInAsP/GaInP/AlGaInP с узким симметричным волноводом и широким асимметричным волноводом. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 808 нм. Показано, что нанесение диэлектрических зеркал (SiO2/Si) на грани резонатора Фабри--Перо полупроводниковых лазеров, не содержащих алюминий, не приводит к оптической катастрофической деградации зеркал. Установлено, что максимально достижимая мощность излучения в лазерах, не содержащих алюминий, ограничена катастрофической оптической деградацией лазерной структуры. В лазерных диодах с узким симметричным волноводом достигнута максимальная оптическая мощность 5.1 Вт, а для широких с асимметричным волноводом --- 9.9 Вт. PACS: 42.55.Px, 78.45.+h, 81.15.Gh
  • J. Wang, B. Smith, X. Xie, X. Wang, G.T. Burnham. Appl. Phys. Lett., 74 (11), 1525 (1999)
  • S. O'Brien, H. Zhao, B. Li, R. Lang. LEOS'97. Conf. Proc. ThX5, v. 2, p. 486
  • А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (5), 628 (2006)
  • Lin Li, Guojun Liu, Zhanguo Li, Mei Li, Hui Li, Xiaohua Wang, Chunming Wan. IEEE Photon. Tech. Lett., 20 (8), 566 (2008)
  • A. Oster, F. Bugge, G. Erbert, H. Wenzel. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 5 (3), 631 (1999)
  • J. Sebastian, G. Beister, F. Bugge, F. Buhrandt, G. Erbert, H.G. Hansel, R. Hulsewede, A. Knauer, W. Pittroff, R. Staske, M. Schroder, H. Wenzel, M. Weyers, G. Trankle. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 7 (2), 334 (2001)
  • A. Knauer, G. Erbert, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, M. Weyers. Semicond. Sci. Technol., 20, 621 (2005)
  • J.K. Wade, L.J. Mawst, D. Botez, J.A. Morris. Electron. Lett., 34 (11), 1100 (1998)
  • J. Diaz, H.J. Yi, M. Razeghi, G.T. Burnham. Appl. Phys. Lett., 71 (21), 3042 (1997)
  • T. Fukunaga, M. Wada, T. Hayakawa. Jpn. J. Appl. Phys., 38 (pt2, 4A), L387 (1999)
  • В.В. Безотосный, В.В. Васильева, Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, О.Н. Крохин, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.В. Мурашова, Т.А. Налет, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Ю.М. Попов, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (3), 357 (2008)
  • С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
  • N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1413 (2004)
  • Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 388 (2005)
  • L.J. Mawst, S. Rusli, A. Al-Muhanna, J.K. Wade. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 5 (3), 785 (1999)
  • W. Pitroff, F. Bugge, G. Erbert, A. Knauer, J. Maege, J. Sebastian, R. Staske, A. Thies, H. Wenzel, G. Traenkle. LEOS'98. Conf. Proc. WQ3, v. 1, p. 278
  • Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38 (3), 347 (2004)
  • Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 57 (2000)
  • А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (11), 1393 (2002)
  • А.Ю. Андреев, С.А. Зорина, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, А.В. Мурашова, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, К.Ю. Телегин, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (4), --- (2009).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.