Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
Алуев А.В.1, Лешко А.Ю.2, Лютецкий А.В.2, Пихтин Н.А.2, Слипченко С.О.2, Фетисова Н.В.2, Чельный А.А.1, Шамахов В.В.1, Симаков В.А.1, Тарасов И.С.2
1"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 сентября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены лазерные гетероструктуры GaInAsP/GaInP/AlGaInP с узким симметричным волноводом и широким асимметричным волноводом. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 808 нм. Показано, что нанесение диэлектрических зеркал (SiO2/Si) на грани резонатора Фабри-Перо полупроводниковых лазеров, не содержащих алюминий, не приводит к оптической катастрофической деградации зеркал. Установлено, что максимально достижимая мощность излучения в лазерах, не содержащих алюминий, ограничена катастрофической оптической деградацией лазерной структуры. В лазерных диодах с узким симметричным волноводом достигнута максимальная оптическая мощность 5.1 Вт, а для широких с асимметричным волноводом - 9.9 Вт. PACS: 42.55.Px, 78.45.+h, 81.15.Gh
- J. Wang, B. Smith, X. Xie, X. Wang, G.T. Burnham. Appl. Phys. Lett., 74 (11), 1525 (1999)
- S. O'Brien, H. Zhao, B. Li, R. Lang. LEOS'97. Conf. Proc. ThX5, v. 2, p. 486
- А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (5), 628 (2006)
- Lin Li, Guojun Liu, Zhanguo Li, Mei Li, Hui Li, Xiaohua Wang, Chunming Wan. IEEE Photon. Tech. Lett., 20 (8), 566 (2008)
- A. Oster, F. Bugge, G. Erbert, H. Wenzel. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 5 (3), 631 (1999)
- J. Sebastian, G. Beister, F. Bugge, F. Buhrandt, G. Erbert, H.G. Hansel, R. Hulsewede, A. Knauer, W. Pittroff, R. Staske, M. Schroder, H. Wenzel, M. Weyers, G. Trankle. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 7 (2), 334 (2001)
- A. Knauer, G. Erbert, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, M. Weyers. Semicond. Sci. Technol., 20, 621 (2005)
- J.K. Wade, L.J. Mawst, D. Botez, J.A. Morris. Electron. Lett., 34 (11), 1100 (1998)
- J. Diaz, H.J. Yi, M. Razeghi, G.T. Burnham. Appl. Phys. Lett., 71 (21), 3042 (1997)
- T. Fukunaga, M. Wada, T. Hayakawa. Jpn. J. Appl. Phys., 38 (pt2, 4A), L387 (1999)
- В.В. Безотосный, В.В. Васильева, Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, О.Н. Крохин, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.В. Мурашова, Т.А. Налет, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Ю.М. Попов, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (3), 357 (2008)
- С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38 (12), 1477 (2004)
- N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1413 (2004)
- Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 388 (2005)
- L.J. Mawst, S. Rusli, A. Al-Muhanna, J.K. Wade. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 5 (3), 785 (1999)
- W. Pitroff, F. Bugge, G. Erbert, A. Knauer, J. Maege, J. Sebastian, R. Staske, A. Thies, H. Wenzel, G. Traenkle. LEOS'98. Conf. Proc. WQ3, v. 1, p. 278
- Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38 (3), 347 (2004)
- Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 57 (2000)
- А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (11), 1393 (2002)
- А.Ю. Андреев, С.А. Зорина, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, А.В. Мурашова, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, К.Ю. Телегин, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (4), --- (2009).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
