"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности fmax до 100 ГГц
Мокеров В.Г.1, Кузнецов А.Л.1, Федоров Ю.В.1, Енюшкина Е.Н.1, Бугаев А.С.1, Павлов А.Ю.1, Гнатюк Д.Л.1, Зуев А.В.1, Галиев Р.Р.1, Овчаренко Е.Н.1, Свешников Ю.Н.2, Цацульников А.Ф.3, Устинов В.М.3
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2ЗАО Элма-Малахит--Концерн Энергомера, Зеленоград, Россия
3Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 сентября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2009 г.

Исследованы AlGaN/GaN HEMT --- (High Electron Mobility Transistor) --- транзисторы с секционированными затворами, с различными длинами затворов Lg от 170 нм до 0.5 мкм и с их ширинами Wg=nWng (где Wng --- ширина секций и n --- их количество) от 100 до 1200 мкм. По измеренным S-параметрам определены предельные частоты усиления по току ft, по мощности fmax и коэффициенты усиления MSG/MAG на частотах 10, 20 и 30-40 ГГц. Исследована зависимость частоты ft от длины затвора. При Lg=170 нм ft достигает 48 ГГц. Проанализированы зависимости частоты fmax от размеров затворов и их топологии. С уменьшением Lg и Wng fmax растет и при Lg=170 нм и Wg=100 мкм достигает 100 ГГц. Найдены оптимальные значения ширин затворов Wg и выходной мощности базовых транзисторов для различных частот. В разработанной 170 нм-AlGaN/GaN-HEMT-технологии сочетаются и высокие частотные характеристики (fmax=100 ГГц) и большие пробивные напряжения (115 В), что делает ее привлекательной для функционирования на частотах до 40 ГГц. PACS: 73.61.Ey, 84.37.+q, 84.40.Lj, 85.30.-z, 85.30.De, 85.35.-p
  • Takash Jnour, T. Nakajama, Y. Ando. IEEE Trans. Electron. Dev., 55 (2), 483 (2008)
  • Y.-F. Wu, A. Saxler, M. Moore, R.P. Smith, S. Sheppard, P.M. Chavarkar, T. Wisleder, U.K. Mishra, P. Parikh. IEEE Electron. Dev. Lett., 25 (3), 117 (2004)
  • M. Higashiwaki, N. Onojima, T. Matsui, T. Minura. Int. Conf. Nitride Semiconductors (Bremen, Germany, 2005) Paper We-ED2-4
  • T. Palacios, A. Chakraborty, S. Heikman, S. Keller, S.P. DenBaars, U.K. Mishra. IEEE Electron. Dev. Lett., 27 (1), 15 (2006)
  • В.Г. Мокеров, А.А. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Р.Р. Галиев, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. Тез. докл. 6-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., Россия, 2008) с. 152
  • A.K. Konorev. Proc. 9th Int. Symp. Nanostructures, Physics and Technol. (St.Petersburg, Russia, 2001) p. 230
  • G. Dambrine, T. Parenty, S. Bollaert, H. Happy, A. Cappy, J. Mateos, T. Nahri, J.C. Orthoc, M. Trier, P. Bander, P. Landry. Proc. Conf. 11th Eur. Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium, ICM (Munich, Germany, 2003) p. 473
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.