ФТП, 2005, том 39, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Новый элемент памяти на кремниевых нанокластерах
в диэлектрике с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2 для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства

В.А.Гриценко , К.А.Насыров *, Д.В.Гриценко, Ю.Н.Новиков, А.Л.Асеев, Д.Х.Ли +, Д.-В.Ли +, Ч.В.Ким +

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
+ Samsung Advanced Institute of Technology,
P. O. Box 111, Suwon 440-600, Korea

(Получена 11 августа 2004 г. Принята к печати 14 октября 2004 г.)

Моделировались характеристики записи / стирания и хранения заряда в элементе памяти для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства на основе структуры кремний / оксид / кремниевая-точка / оксид / полупроводник, в котором в качестве блокирующего диэлектрика использовались SiO2 и альтернативный диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2. Установлено, что применение альтернативного диэлектрика приводит к ряду эффектов: уменьшается паразитная инжекция из поли-Si, увеличивается поле в туннельном оксиде, появляется возможность увеличить толщину туннельного диэлектрика и, следовательно, увеличить время хранения информации, появляется возможность использовать более низкие напряжения записи / стирания. Программирование импульсом амплитудой ±11 В и длительностью 10 мс позволяет получить через 10 лет окно памяти ~3 В.

 PDF версия (275Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster