ФТП, 2005, том 39, выпуск 3ФТП, 2005, том 39, выпуск 3| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников | |
| Лобановский Л.С., Труханов С.В., Бушинский М.В., Троянчук И.О. Катионное разупорядочение в двойном оксиде SrFeMoO со структурой перовскита | 291 |
|---|---|
| Лебедев А.А., Давыдов С.Ю. Вакансионная модель процесса гетерополитипной эпитаксии SiC | 296 |
| Ильин А.С., Максимов А.И., Мошников В.А., Ярославцев Н.П. Внутреннее трение в полупроводниковых тонких пленках, полученных методом золь--гель технологии | 300 |
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Козлов А.И., Соболев В.В., Князев А.Ф. Спектры отражения двух полиморфных модификаций арсенида кадмия | 305 |
| Немов С.А., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Серегин Н.П., Хужакулов Э.С. Статистика электронов в PbS с -центрами | 309 |
| Ардышев М.В., Ардышев В.М., Крючков Ю.Ю. Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами | 313 |
| Бачериков Ю.Ю., Кицюк Н.В., Оптасюк С.В., Стадник А.А. Влияние уплотнения на люминесцентные свойства порошков ZnS : Ga | 316 |
| Sennikov P.G., Kotereva T.V., Kurganov A.G., Andreev B.A., Niemann H., Schiel D., Emtsev V.V., Pohl H.-J. Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon and oxygen impurities in isotopic enriched silicon Si, Si and Si | 320 |
| Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Липаев А.Ф., Куницына Е.В., Пархоменко Я.А., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П. Влияние диффузии Te из подложки -GaSb : Te на свойства твердых растворов GaInAsSb, выращенных в присутствии свинца | 327 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Берман Л.С. Деполяризация в структуре металл---сегнетоэлектрик---полупроводник | 332 |
| Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Модель для описания рассеяния дырок на гетерограницах GaAs/AlAs(001) | 336 |
| Горский П.В. Квазиклассическое рассмотрение осцилляций электропроводности слоистых кристаллов в магнитном поле при рассеянии носителей тока на акустических фононах | 343 |
| Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Механизмы протекания тока и фоточувствительность структур -ZnO : Al / Cu-Cu(In,Ga)Se | 349 |
| Домашевская Э.П., Середин П.В., Долгополова Э.А., Занин И.Е., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Тарасов И.С. Закон Вегарда и сверхструктурная фаза в эпитаксиальных гетероструктурах AlGaAs/GaAs(100) | 354 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Persheyev S.K., Smirnov V., O'Neill K.A., Reynolds S., Rose M.J. Atmospheric adsorption effects in hot wire chemical vapour deposition microcrystalline silicon films with different electrode configurations | 361 |
| Осминкина Л.А., Константинова Е.А., Шаров К.С., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. Роль примеси бора в активации свободных носителей заряда в слоях пористого кремния при адсорбции акцепторных молекул | 365 |
| Бирюков А.В., Казанский А.Г., Теруков Е.И., Хабарова К.Ю. Плотность состояний в щели подвижности аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием | 369 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н., Тандоев А.Г. Новый физический механизм формирования критического заряда включения тиристорных структур | 372 |
| Тогатов В.В., Гнатюк П.А. Метод измерения времени жизни носителей заряда в базовых областях быстродействующих диодных структур | 378 |
| Строкан Н.Б., Иванов А.М., Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Онушкин Г.А., Давыдов Д.В., Виолина Г.Н. Спектрометрия короткопробежных ионов детекторами на основе CVD-пленок -SiC | 382 |
| Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Николаев Д.Н., Станкевич А.Л., Хомылев М.А., Шамахов В.В., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Налет Т.А., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Тарасов И.С. Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения | 388 |
| Рецензия на книгу В.И. Фистуля \glqq Атомы легирующих примесей в полупроводниках\grqq | 393 |