"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектрометрия короткопробежных ионов детекторами на основе CVD-пленок 4H-SiC
Строкан Н.Б.1, Иванов А.М.1, Калинина Е.В.1, Холуянов Г.Ф.1, Онушкин Г.А.1, Давыдов Д.В.1, Виолина Г.Н.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

На эпитаксиальных слоях 4H-SiC толщиной 50 мкм, выращенных методом газотранспортной эпитаксии, термовакуумным напылением Cr были изготовлены барьеры Шоттки площадью 10-2 см2. Концентрация нескомпенсированных доноров в пленках составляла (4-6)· 1014 см-3, что позволяло при обратном смещении 400 В развить рабочую зону детектора до ~ 30 мкм. Спектрометрические характеристики детекторов определялись с использованием alpha-частиц в диапазоне энергий 4.8-7.7 МэВ. Для линий 5.0-5.5 МэВ достигнуто значение разрешения по энергии менее 20 кэВ (0.34%), что лишь в 2 раза уступает прецизионным кремниевым детекторам, изготовленным по спецализированной технологии. Величина максимальной амплитуды сигнала соответствует значению средней энергии образования пары электрон--дырка в SiC, равной 7.70 эВ.
  1. L.W. Aukerman, H.C. Gorton, R.K. Willardson, V.E. Bryson. Silicon Carbide, ed. by J.R. O'Connor, J. Smiltens (Pergamon, Oxford, 1959) p. 388
  2. V.E. Bryson. Wright Patterson Air Force Base, Ohio Report AD-215601 (1959)
  3. Г.Ф. Холуянов, Б.В. Гавриловский. ФТП, 2 (4), 573 (1968)
  4. В.А. Тихомирова, О.П. Федосеева, Г.Ф. Холуянов. ФТП, 6, 957 (1972)
  5. E. Kalinina, G. Kholujanov, A. Zubrilov, V. Solov'ev, D. Davydov, A. Tregubova, M. Sheglov, A. Kovarskii, M. Yagovkina, G. Violina, G. Pensl, A. Hallen, A. Konstantinov, S. Karlsson, S. Rendakova, V. Dmitriev. Appl. Phys., 90, 5402 (2001)
  6. А.М. Иванов, Е.В. Калинина, А.О. Константинов, Г.А. Онушкин, Н.Б. Строкан, Г.Ф. Холуянов, A. Hallen. Письма ЖТФ, 30 (14), 1 (2004)
  7. А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ЖТФ, 70, 139 (2000)
  8. В.К. Еремин, Е.М. Вербицкая, Н.Б. Строкан, В.Л. Суханов, А.М. Маляренко. ЖТФ, 56, 1987 (1986)
  9. M. Ikeda, H. Matsunami. Phys. Status Solidi A, 58, 657 (1980)
  10. A. Suzuki, H. Matsunami, T. Tanak. J. Electrochem. Soc., 124, 241 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.