"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спектрометрия короткопробежных ионов детекторами на основе CVD-пленок 4H-SiC
Строкан Н.Б.1, Иванов А.М.1, Калинина Е.В.1, Холуянов Г.Ф.1, Онушкин Г.А.1, Давыдов Д.В.1, Виолина Г.Н.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

На эпитаксиальных слоях 4H-SiC толщиной 50 мкм, выращенных методом газотранспортной эпитаксии, термовакуумным напылением Cr были изготовлены барьеры Шоттки площадью 10-2 см2. Концентрация нескомпенсированных доноров в пленках составляла (4-6)· 1014 см-3, что позволяло при обратном смещении 400 В развить рабочую зону детектора до ~ 30 мкм. Спектрометрические характеристики детекторов определялись с использованием alpha-частиц в диапазоне энергий 4.8-7.7 МэВ. Для линий 5.0-5.5 МэВ достигнуто значение разрешения по энергии менее 20 кэВ (0.34%), что лишь в 2 раза уступает прецизионным кремниевым детекторам, изготовленным по спецализированной технологии. Величина максимальной амплитуды сигнала соответствует значению средней энергии образования пары электрон--дырка в SiC, равной 7.70 эВ.
  • L.W. Aukerman, H.C. Gorton, R.K. Willardson, V.E. Bryson. Silicon Carbide, ed. by J.R. O'Connor, J. Smiltens (Pergamon, Oxford, 1959) p. 388
  • V.E. Bryson. Wright Patterson Air Force Base, Ohio Report AD-215601 (1959)
  • Г.Ф. Холуянов, Б.В. Гавриловский. ФТП, 2 (4), 573 (1968)
  • В.А. Тихомирова, О.П. Федосеева, Г.Ф. Холуянов. ФТП, 6, 957 (1972)
  • E. Kalinina, G. Kholujanov, A. Zubrilov, V. Solov'ev, D. Davydov, A. Tregubova, M. Sheglov, A. Kovarskii, M. Yagovkina, G. Violina, G. Pensl, A. Hallen, A. Konstantinov, S. Karlsson, S. Rendakova, V. Dmitriev. Appl. Phys., 90, 5402 (2001)
  • А.М. Иванов, Е.В. Калинина, А.О. Константинов, Г.А. Онушкин, Н.Б. Строкан, Г.Ф. Холуянов, A. Hallen. Письма ЖТФ, 30 (14), 1 (2004)
  • А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ЖТФ, 70, 139 (2000)
  • В.К. Еремин, Е.М. Вербицкая, Н.Б. Строкан, В.Л. Суханов, А.М. Маляренко. ЖТФ, 56, 1987 (1986)
  • M. Ikeda, H. Matsunami. Phys. Status Solidi A, 58, 657 (1980)
  • A. Suzuki, H. Matsunami, T. Tanak. J. Electrochem. Soc., 124, 241 (1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.