Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль примеси бора в активации свободных носителей заряда в слоях пористого кремния при адсорбции акцепторных молекул

Осминкина Л.А.¹, Константинова Е.А.¹, Шаров К.С.¹, Кашкаров П.К.¹, Тимошенко В.Ю.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 12 июля 2004 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами спектроскопии инфракрасного поглощения и электронного парамагнитного резонанса исследована роль примеси бора в слоях пористого кремния при активации в них свободных носителей в условиях взаимодействия с акцепторными молекулами двуокиси азота. Обнаружено, что концентрация возникающих при адсорбции свободных дырок тем больше, чем выше уровень легирования бором подложек, используемых для получения пористого кремния. Результаты экспериментов объяснены формированием на поверхности кремниевых нанокристаллов, составляющих пористый кремний, донорно-акцепторных пар в виде анион-радикалов (NO₂)^- и положительно заряженных дефектов - оборванных связей кремния.

R. Herino, G. Bomchil, K. Barla, C. Bertrand, J.L. Ginoux. J. Electrochem. Soc., 134, 1994 (1987)
П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 30, 1479 (1996)
L. Boarino, C. Baratto, F. Geobaldo, G. Amato, E. Comini, A.M. Rossi, G. Faglia, G. Lerondel, G. Sberveglieri. Mater. Sci. Engin. B, 69--70, 210 (2000)
V.Yu. Timoshenko, Th. Dittrich, F. Koch. Phys. Status Solidi B, 222, R1 (2000)
A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
V.Yu. Timoshenko, Th. Dittrich, V. Lysenko, M.G. Lisachenko, F. Koch. Phys. Rev. B, 64, 085 314 (2001)
L. Boarino, F. Geobaldo, S. Borini, A.M. Rossi, P. Rivolo, M. Rocchia, E. Garrone, G. Amato. Phys. Rev. B, 64, 205 308 (2001)
Е.А. Константинова, Л.А. Осминкина, К.С. Шаров, Е.В. Курепина, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. ЖЭТФ, 126 (10), 857 (2004)
W. Theib. Surf. Sci. Rep., 29, 91 (1997)
Л.А. Осминкина, Е.В. Курепина, А.В. Павликов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 38, 603 (2004)
H. Hara, Y. Nishi. J. Phys. Soc. Japan, 21, 1222 (1966)
G. Polisski, D. Kovalev, G.G. Dollinger, T. Sulima, F. Koch. Physica B, 273--274, 951 (1999)
E.H. Poindexter, P.J. Caplan, B.E. Deal, R. Razouk. J. Appl. Phys., 52 (2), 879 (1981)
J.L. Cantin, M. Schoisswohl, H.J. Bardeleben, N.H. Zoubir, M. Vergnat. Phys. Rev. B, 52 (16), R11599 (1995)
В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель