ФТП, 2004, том 38, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние центров безызлучательной рекомбинации
на эффективность фотолюминесценции структур
с квантовыми точками

М.В.Максимов , Д.С.Сизов, А.Г.Макаров, И.Н.Каяндер, Л.В.Асрян, А.Е.Жуков,
В.М.Устинов, Н.А.Черкашин, Н.А.Берт, Н.Н.Леденцов +, D.Bimberg +

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Технический университет Берлина,
Берлин D-10623, Германия

(Получена 20 февраля 2004 г. Принята к печати 26 февраля 2004 г.)

Исследовано влияние дислокаций на интенсивность фотолюминесценции структур с квантовыми точками в системе InAs--GaAs. Структурные характеристики образцов, в том числе плотность дислокаций, исследовались электронной микроскопией как в режиме светлого поля, так и в режиме слабого пучка. При температурах ниже комнатной и умеренных плотностях мощности накачки структура, содержащая большие кластеры с дислокациями, и структура, в которой их плотность существенно меньше, имеют примерно одинаковую интенсивность фотолюминесценции. В противоположность этому интенсивности люминесценции, измеренные при больших плотностях накачки и повышенных температурах, позволяют адекватно оценить кристаллическое качество структур с квантовыми точками. Отжиг квантовых точек после заращивания их тонким (1--2 нм) слоем GaAs позволяет уменьшить плотность кластеров с дислокациями и существенно увеличить температурную стабильность интенсивности фотолюминесценции.

 PDF версия (223Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster