Вышедшие номера
Расчет термоэлектрической эффективности многослойных структур с квантовыми ямами в случае полярного рассеяния носителей на оптических фононах
Пшенай-Северин Д.А.1, Равич Ю.И.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 января 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Произведен расчет повышения термоэлектрической добротности в слоистой структуре с квантовыми ямами при полярном рассеянии носителей тока оптическими фононами. На основе выполненных ранее и новых расчетов для различных механизмов рассеяния сделан вывод, что увеличение добротности вследствие размерного квантования электронов возможно лишь при условии, что вероятность рассеяния носителей убывает при увеличении переданного волнового вектора.
  1. L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 47, 12 727 (1993)
  2. L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 47, 16 631 (1993)
  3. L.D. Hicks, T.C. Harman, M.S. Dresselhaus. Appl. Phys. Lett., 63, 3230 (1993)
  4. D.A. Broido, T.L. Reinecke. Appl. Phys. Lett., 67, 1170 (1995)
  5. D.A. Broido, T.L. Reinecke. Phys. Rev. B, 51, 13 797 (1995)
  6. T.L. Reinecke, D.A. Broido. Proc. Mater. Res. Soc. Symp., 487, 161 (1997)
  7. I. Sur, A. Casian, A.A. Balandin, Z. Dashevsky, V. Kantser, H. Scherrer. Proc. 21st Int. Conf. on Thermoelectrics (Long Beach, CA, USA, 2002) p. 288
  8. Д.А. Пшенай-Северин, Ю.И. Равич. ФТП, 36, 974 (2002)
  9. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
  10. L. Friedman. Phys. Rev. B, 32, 955 (1985)
  11. T. Koga, O.A. Rabin, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 62, 16 703 (2000)
  12. A. Balandin. Phys. Low-Dim. Structur., 5/6, 73 (2000)
  13. A. Khitun, K.L. Wang. Phys. Low-Dim. Structur., 5/6, 11 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.