"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками
Максимов М.В.1, Сизов Д.С.1, Макаров А.Г.1, Каяндер И.Н.1, Асрян Л.В.1, Жуков А.Е.1, Устинов В.М.1, Черкашин Н.А.1, Берт Н.А.1, Леденцов Н.Н.2, Bimberg D.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Технический университет Берлина, Берлин, Германия
Поступила в редакцию: 20 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Исследовано влияние дислокаций на интенсивность фотолюминесценции структур с квантовыми точками в системе InAs--GaAs. Структурные характеристики образцов, в том числе плотность дислокаций, исследовались электронной микроскопией как в режиме светлого поля, так и в режиме слабого пучка. При температурах ниже комнатной и умеренных плотностях мощности накачки структура, содержащая большие кластеры с дислокациями, и структура, в которой их плотность существенно меньше, имеют примерно одинаковую интенсивность фотолюминесценции. В противоположность этому интенсивности люминесценции, измеренные при больших плотностях накачки и повышенных температурах, позволяют адекватно оценить кристаллическое качество структур с квантовыми точками. Отжиг квантовых точек после заращивания их тонким (1--2 нм) слоем GaAs позволяет уменьшить плотность кластеров с дислокациями и существенно увеличить температурную стабильность интенсивности фотолюминесценции.
  • N.N. Ledentsov. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8, 1015 (2002)
  • N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, S.V. Zaitsev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996)
  • M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000)
  • D. Bimberg, M. Grundman, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterostructures (John Wiley \& Sons, 1999)
  • M. Grundman. Nano-optoelectronics Concepts, Physics and Devices (Springer, 2002)
  • Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33 (8), 990 (1999)
  • N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, D. Bimberg, T. Maka, C.M. Sotomayor Torres, I.V. Kochnev, I.L. Krestnikov, V.M. Lantratov, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, Zh.I. Alferov. Semicond Sci. Technol., 15 (6), 604 (2000)
  • J.M. Jerard, O. Cabrol, B. Sermage. Appl. Phys. Lett., 68, 3123 (1996)
  • K.K. Linder, J. Phillips, O. Qasaimeh, X.F. Liu, S. Krishna, P. Bhattacharya, J.C. Jiang. Appl. Phys. Lett., 74, 1355 (1999)
  • L. A. Graham, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 74, 2408 (1999)
  • L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond Sci. Technol., 11 (4), 554 (1996).
  • M.V. Maximov, L.V. Asryan, Yu.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (5), 676 (2001).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.