"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О возможностях подавления формирования dome-кластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии Ge на Si (100)
Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Устинов В.М., Werner P.
Поступила в редакцию: 11 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Методами атомно-силовой микроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование морфологических особенностей массива островков Ge нанометрового диапазона, сформированных на поверхности Si (100) при молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что присутствие сурьмы на поверхности подложки во время осаждения Ge значительно повышает плотность конечного массива островков, а также подавляет образование dome-кластеров при температурах 550-600oC. Полученные результаты предложено интерпретировать в рамках кинетической модели формирования упругонапряженных островков в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки.
  • В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, Б.Я. Бэр, Ю.Н. Дроздов, А.Н. Яблонский. ФТП, 36 (6), 662 (2002)
  • M. Stoffel, U. Denker, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 82 (19), 3236 (2003)
  • V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, P. Werner. Phys. Status Solidi A, 198 (1), R4 (2003)
  • L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias. Appl. Phys. Lett., 81 (22), 4248 (2002)
  • K.K. Linder, J. Phillips, O. Qasaimeh, X.F. Liu, S. Krishna, P. Bhattacharya, J.C. Jiang. Appl. Phys. Lett., 74 (10), 1355 (1999)
  • G. Dehlinger, L. Diehl, U. Gennser, H. Sigg, J. Faist, K. Ensslin, D. Grutzmacher. Science, 290, 2277 (2000)
  • T. Takagahara, K. Takeda. Phys. Rev. B, 46, 15 578 (1992)
  • S.Y. Ren. Sol. St. Commun., 102, 479 (1997)
  • А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. ФТП, 35 (9), 1143 (2001)
  • Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский. ФТТ, 46 (1), 63 (2004)
  • О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34 (11), 1281 (2000)
  • C.J. Huang, Y.H. Zuo, D.Z. Li, B.W. Cheng, L.P. Luo, J.Z. Yu, Q.M. Wang. Appl. Phys. Lett., 78 (24), 3881 (2001)
  • Г.Э. Цырлин, П. Вернер, У. Гёзеле, Б.В. Воловик, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. Письма ЖТФ, 27 (1), 31 (2001)
  • V. Cimalla, K. Zekentes. Appl. Phys. Lett., 77 (10), 1452 (2000)
  • Г.Э. Цырлин, Н.П. Корнеева, В.Н. Демидов, Н.К. Поляков, В.Н. Петров, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31 (10), 1230 (1997)
  • D. Reinking, M. Kammler, M. Horn-von Hoegen, K.R. Hofmann. Appl. Phys. Lett., 71, 924 (1997)
  • A. Janzen, I. Dumkow, M. Horn-von Hoegen. Appl. Phys. Lett., 79, 2387 (2001)
  • S.A. Barnett, H.F. Winters, J.E. Green. Surf. Sci., 165, 303 (1986)
  • Ki-S. Kim, Y. Takakuwa, T. Abukawa, S. Kono. J. Cryst. Growth, 186, 95 (1998)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, 075409 (2003)
  • A.A. Tonkikh, V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.A. Egorov, V.M. Ustinov, P. Werner. Phys. Status. Solidi. B, 236 (1), R1 (2003)
  • В.Г. Дубровский, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин, В.А. Егоров, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, Н.В. Крыжановская, Н.А. Берт, В.М. Устинов. ФТП, 38, 342 (2004)
  • C.S. Peng, Q. Huang, W.Q. Cheng, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, T.T. Sheng, C.H. Tung. Appl. Phys. Lett., 72 (20), 2541 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.