"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О возможностях подавления формирования dome-кластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии Ge на Si (100)
Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Устинов В.М., Werner P.
Поступила в редакцию: 11 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.

Методами атомно-силовой микроскопии и дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование морфологических особенностей массива островков Ge нанометрового диапазона, сформированных на поверхности Si (100) при молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что присутствие сурьмы на поверхности подложки во время осаждения Ge значительно повышает плотность конечного массива островков, а также подавляет образование dome-кластеров при температурах 550-600oC. Полученные результаты предложено интерпретировать в рамках кинетической модели формирования упругонапряженных островков в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки.
  1. В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, Б.Я. Бэр, Ю.Н. Дроздов, А.Н. Яблонский. ФТП, 36 (6), 662 (2002)
  2. M. Stoffel, U. Denker, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 82 (19), 3236 (2003)
  3. V.G. Talalaev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, N.D. Zakharov, P. Werner. Phys. Status Solidi A, 198 (1), R4 (2003)
  4. L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias. Appl. Phys. Lett., 81 (22), 4248 (2002)
  5. K.K. Linder, J. Phillips, O. Qasaimeh, X.F. Liu, S. Krishna, P. Bhattacharya, J.C. Jiang. Appl. Phys. Lett., 74 (10), 1355 (1999)
  6. G. Dehlinger, L. Diehl, U. Gennser, H. Sigg, J. Faist, K. Ensslin, D. Grutzmacher. Science, 290, 2277 (2000)
  7. T. Takagahara, K. Takeda. Phys. Rev. B, 46, 15 578 (1992)
  8. S.Y. Ren. Sol. St. Commun., 102, 479 (1997)
  9. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. ФТП, 35 (9), 1143 (2001)
  10. Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский. ФТТ, 46 (1), 63 (2004)
  11. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34 (11), 1281 (2000)
  12. C.J. Huang, Y.H. Zuo, D.Z. Li, B.W. Cheng, L.P. Luo, J.Z. Yu, Q.M. Wang. Appl. Phys. Lett., 78 (24), 3881 (2001)
  13. Г.Э. Цырлин, П. Вернер, У. Гёзеле, Б.В. Воловик, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. Письма ЖТФ, 27 (1), 31 (2001)
  14. V. Cimalla, K. Zekentes. Appl. Phys. Lett., 77 (10), 1452 (2000)
  15. Г.Э. Цырлин, Н.П. Корнеева, В.Н. Демидов, Н.К. Поляков, В.Н. Петров, Н.Н. Леденцов. ФТП, 31 (10), 1230 (1997)
  16. D. Reinking, M. Kammler, M. Horn-von Hoegen, K.R. Hofmann. Appl. Phys. Lett., 71, 924 (1997)
  17. A. Janzen, I. Dumkow, M. Horn-von Hoegen. Appl. Phys. Lett., 79, 2387 (2001)
  18. S.A. Barnett, H.F. Winters, J.E. Green. Surf. Sci., 165, 303 (1986)
  19. Ki-S. Kim, Y. Takakuwa, T. Abukawa, S. Kono. J. Cryst. Growth, 186, 95 (1998)
  20. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, 075409 (2003)
  21. A.A. Tonkikh, V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.A. Egorov, V.M. Ustinov, P. Werner. Phys. Status. Solidi. B, 236 (1), R1 (2003)
  22. В.Г. Дубровский, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин, В.А. Егоров, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, Н.В. Крыжановская, Н.А. Берт, В.М. Устинов. ФТП, 38, 342 (2004)
  23. C.S. Peng, Q. Huang, W.Q. Cheng, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, T.T. Sheng, C.H. Tung. Appl. Phys. Lett., 72 (20), 2541 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.