ФТП, 2004, том 38, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование и исследование захороненных слоев SiC с высоким содержанием радиационных дефектов

Е.В.Богданова, В.В.Козловский *, Д.С.Румянцев *, А.А.Волкова, А.А.Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 1 марта 2004 г. Принята к печати 4 марта 2004 г.)

Проведена имплантация протонов с энергией E=100 кэВ в диапазоне доз от 2·1017 до 4·1017 см-2 в 6H- и 4H-SiC n-типа проводимости при комнатной температуре. После имплантации выполнены различные типы отжигов в диапазоне температур 550-1500oC. Параметры образцов контролировались методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик, фотолюминесценции. Обнаружен блистеринг поверхности образцов после отжига при температуре 800oC только при имплантации протонов с дозой =< 3·1017 см-2. Уменьшение сопротивления компенсированного слоя начинается после отжига при температуре ~1200oC и заканчивается после отжига при температуре ~1500oC. После имплантации наблюдается резкое уменьшение интенсивности фотолюминесценции для всех типов образцов. Восстановление интенсивности фотолюминесценции образцов начинается после отжига при температурах >= 800oC и завершается после отжига при температуре 1500oC.

 PDF версия (180Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster