ФТП, 2003, том 37, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование границы раздела ZnS-CdHgTe

В.П.Бирюлин , С.А.Дудко, С.А.Коновалов, Ю.А.Пелевин, В.И.Туринов

Научно-производственное предприятие \glqq Исток\grqq,
141120 Фрязино, Россия

(Получена 28 февраля 2003 г. Принята к печати 18 марта 2003 г.)

При исследовании границы раздела ZnS-CdxHg1-xTe с помощью C-V-характеристик МДП структур на спутниковых образцах в процессе изготовления n+-p-переходов на p-CdxHg1-xTe была получена плотность состояний в пределах Ns\kern-0.2pts=(1-6)· 1011 см-2эВ-1 при T=78 K. Эксперименты показали, что технологические режимы, применяемые при изготовлении n+-p-переходов, слабо изменяют состояние границы раздела ZnS-CdHgTe. Причем отрицательные значения напряжения плоских зон VFB указывают (даже если первоначально после нанесения пленки ZnS было VFB>0) на обогащение приповерхностного слоя ZnS-p-CdHgTe основными носителями, дырками, что приводило к уменьшению тока утечки по поверхности. Получено было также, что при длительном сроке хранения (до ~15 лет) на воздухе при комнатной температуре у таких n+-p-переходов с защитной пленкой ZnS не деградировали дифференциальное сопротивление Rd, токовая чувствительность Si и обнаружительная способность D*.

 PDF версия (170Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster