ФТП, 2003, том 37, выпуск 11ФТП, 2003, том 37, выпуск 11| Другие выпуски | Другие журналы | Поиск |
|---|
| Электронные и оптические свойства полупроводников | |
| Медведева Н.И., Юрьева Э.И., Ивановский А.Л. Электронная структура кубического карбида кремния с -примесями в Si- и C-позициях замещения | 1281 |
|---|---|
| Боднарь И.В. Оптические и теплофизические свойства твердых растворов CuAlInTe | 1285 |
| Сукач Г.А., Кидалов В.В., Власенко А.И., Потапенко Е.П. Дефектная люминесценция пленок GaN : Zn, отожженных в высокочастотной плазме аммиака | 1290 |
| Несмелова И.М. Эффективная масса электронов в MnHgTe | 1296 |
| Ушаков В.В., Клевков Ю.В. Влияние межзеренных границ раздела на свойства теллурида кадмия, полученного в неравновесных условиях | 1298 |
| Кидалов В.В., Сукач Г.А., Ревенко А.С., Потапенко Е.П. Ультрафиолетовая люминесценция тонких пленок GaN, полученных методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии на пористых подложках GaAs (111) | 1303 |
| Покровский Я.Е., Хвальковский Н.А. Прыжковая поляризационная фотопроводимость кремния с участием пар примесей III и V групп | 1305 |
| Яковина В.С., Заячук Д.М., Берченко Н.Н. Дефектообразование в решетке PbTe под воздействием лазерной ударной волны | 1313 |
| Карькин А.Е., Щенников В.В., Данилов С.Е., Арбузов В.А., Гощицкий Б.Н. Гальваномагнитные эффекты в атомно-разупорядоченных соединениях HgSeS | 1316 |
| Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность | |
| Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Вайполин А.А., Боднарь И.В., Fernelius N. Фоточувствительные структуры на монокристаллах CdGaS | 1321 |
| Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотоэлектрические явления в гетероструктурах ZnO : Al---Si | 1329 |
| Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш. Термоэдс полупроводникового -гетероперехода | 1334 |
| Олейнич-Лысюк А.В., Бешлей Н.П., Фодчук И.М. О влиянии реальной поверхности монокристаллического Si на низкочастотное внутреннее трение и поведение эффективного модуля сдвига | 1337 |
| Антонова И.В., Стучинский В.А., Наумова О.В., Николаев Д.В., Попов В.П. Флуктуации заряда на границе сращивания в структурах кремний-на-изоляторе | 1341 |
| Боднарь И.В., Полубок В.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительные структуры на кристаллах InS | 1346 |
| Антюшин В.Ф., Буданов А.В., Кухаренко Д.С., Палишкин Д.А. Кинетика начальной стадии халькогенидной пассивации полупроводников AB | 1349 |
| Низкоразмерные системы | |
| Володин В.А., Гацкевич Е.И., Двуреченский А.В., Ефремов М.Д., Ивлев Г.Д., Никифоров А.И., Орехов Д.А., Якимов А.И. Модифицирование нанокластеров германия в кремнии под действием импульсного лазерного излучения | 1352 |
| Багаев Е.А., Журавлев К.С., Свешникова Л.Л., Бадмаева И.А., Репинский С.М., Voelskow M. Фотолюминесценция нанокластеров сульфида кадмия, сформированных в матрице пленки Ленгмюра-Блоджетт | 1358 |
| Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Ковш А.Р., Сошников И.П., Цацульников А.Ф., Kirmse H., Neumann W., Chi J.Y., Wang J.S., Wei L., Леденцов Н.Н., Устинов В.М. Оптические свойства сверхтонких внедрений соединения GaAsN в GaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии | 1363 |
| Бахтин П.А., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Кравченко А.Ф., Латышев А.В., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. Самопроизвольное формирование периодической наноструктуры с модуляцией состава в пленках CdHgTe | 1369 |
| Валах М.Я., Лисица М.П., Стрельчук В.В., Вуйчик Н.В., Иванов С.В., Торопов А.А., Шубина Т.В., Копьев П.С. Экситонная рекомбинация около края подвижности в CdSe/ZnSe-наноструктурах | 1374 |
| Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники | |
| Тетельбаум Д.И., Ежевский А.А., Михайлов А.Н. Экстремальная дозовая зависимость концентрации парамагнитных центров, обусловленных оборванными связями в Si, при ионном облучении, как свидетельство наноструктурирования | 1380 |
| Физика полупроводниковых приборов | |
| Якимов А.И., Двуреченский А.В., Никифоров А.И., Чайковский С.В., Тийс С.А. Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge для ближней инфракрасной области ( мкм) | 1383 |
| Ащеулов А.А., Охрем В.Г., Охрем Е.А. Термоэлементы с боковым теплообменом | 1389 |
| Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Лешко А.Ю., Шамахов В.В., Андреев А.Ю., Голикова Е.Г., Рябоштан Ю.А., Тарасов И.С. 1.7--1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур | 1394 |