Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Дефектообразование в решетке PbTe под воздействием лазерной ударной волны
1Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина 
2Жешувский университет, Жешув, Польша
2Жешувский университет, Жешув, Польша
Поступила в редакцию: 18 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.
Исследованы механизм дефектообразования в тонких пленках PbTe на подложке BaF2 под действием обработки ударной волной и кинетика отжига при комнатной температуре возникающих при этом неравновесных дефектов кристаллической решетки. Оценена относительная роль реакций отжига 1-го и 2-го порядков в процессе установления равновесного состояния дефектов. Проанализированы вклады аннигиляциии пар Френкеля в обеих подрешетках кристаллической матрицы, а также выхода межузельных атомов на стоки в процесс изменения суммарной концентрации неравновесных дефектов на различных этапах их отжига.
- В.А. Янушкевич. Физика и химия обраб. матер., N 5, 9 (1975)
- Л.И. Иванов, Н.А. Литвинова, В.А. Янушкевич. Квант. электрон., 4, 204 (1977)
- P. Peyre, P. Merrien, H.P. Lieurade, R. Fabbro. Surf. Eng., 11, 47 (1995)
- М.В. Сильников, А.И. Михайлин, А.В. Петров, Ю.И. Мещеряков, В.А. Ермолаев, Н.С. Кочетова, С.М. Ушеренко. Письма ЖТФ, 26 (16), 77 (2000)
- Y.K. Zhang, C.L. Hu, L. Cai, J.C. Yang, X.R. Zhang. Appl. Phys. A, 72, 113 (2001)
- V.A. Gnatyuk, A.I. Vlasenko, P.O. Mozol', O.S. Gorodnychenko. Semicond. Sci. Technol., 13, 1298 (1998)
- А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Б.Л. Горковенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль. ФТП, 34, 443 (2000)
- N.N. Berchenko, V.S. Yakovyna, Yu.N. Nikiforov, I.S. Virt. Proc. SPIE, 4355, 200 (2001)
- Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS (М., Наука, 1968)
- Y. Nikiforov, V. Yakovyna, N. Berchenko. Mater. Sci. Eng. A, 288, 173 (2000)
- Д.М. Заячук, В.А. Шендеровський. Укр. физ. журн., 36, 1692 (1991)
- Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках: экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
