"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Инверсия знака примесной проводимости в стеклообразных пленках As2Se3:Bi, полученных двумя различными методами
Алмасов Н.Ж.1, Приходько О.Ю.1, Цэндин К.Д.2
1Казахский национальный университет им. Аль-Фараби, Алмаата, Казахстан
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Показано, что в пленках As2Se3:Bix, полученных методом термического напыления, осуществляется примесная проводимость p-типа, а в таких же пленках, полученных ионно-плазменным сораспылением в вакууме, осуществляется примесная проводимость n-типа. На основе этого предложен новый метод получения p-n-гомопереходов в пленочных структурах из халькогенидных стеклообразных полупроводников, легированных висмутом различными методами.
  • В.Л. Аверьянов, Б.Т. Коломиец, В.М. Любин, О.Ю. Приходько. Письма ЖТФ, 6 (10), 577 (1980)
  • R.P. Barclay, J.M. Marshal, C. Main. J. Non-Cryst. Sol., 77--78, 1269 (1985)
  • B.T. Kolomiets, V.T. Averyanov, V.M. Lyubin, O.Yu. Prikhodko. Sol. Energy. Mater., 8 (1), 1 (1982)
  • А.В. Данилов, Р.Л. Мюллер. ЖПХ, 35 (9), 2012 (1962)
  • M.I. Frazer, A.E. Owen. J. Non-Cryst. Sol., 59--60, 1031 (1983)
  • Н.П. Калмыкова, Т.Ф. Мазец, Э.А. Сморгонская, К.Д. Цэндин. ФТП, 23 (2), 297 (1989)
  • В.Л. Аверьянов, Т.К. Звонарева, В.М. Любин, Н.В. Норцева, Б.В. Павлов, Ш.Ш. Сарсембинов, К.Д. Цэндин. ФТП, 22 (11), 2093 (1988)
  • З.У. Борисова. Халькогенидные полупроводниковые стекла (Л., 1983)
  • N.F. Mott, E.A. Davis. Electron Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1979)
  • Т.Ф. Мазец, К.Д. Цэндин. ФТП, 24 (11), 1953 (1990)
  • M. Kastner. Phys. Rev. Lett., 28 (7), 355 (1972)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.