"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства структур GaAs, содержащих периодическую систему слоев металлических нановключений AsSb
Лукин П.В.1, Чалдышев В.В.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Исследованы оптическое отражение и пропускание структур GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре и периодически delta-легированных сурьмой или фосфором. Периодичность легирования соответствовала брэгговскому условию для света с длиной волны в вакууме ~1.4 мкм. Структуры были подвергнуты отжигу при различных температурах в диапазоне 400-760oC, который приводил к формированию хаотической трехмерной системы металлических нановключений (квантовых точек) As в объеме эпитаксиального слоя GaAs, а также к формированию двумерных слоев металлических нановключений (квантовых точек) AsSb на delta-слоях Sb. delta-слои P не влияли существенно на формирование системы нановключений As. В спектрах оптического отражения и пропускания нами не обнаружено особенностей, которые можно было бы связать с неупорядоченной трехмерной системой нановключений As. Периодическая система двумерных слоев металлических нановключений AsSb проявила себя в виде резонансного пика в спектрах оптического отражения и поглощения. Величина резонансного отражения и поглощения увеличивалась с увеличением размера нановключений AsSb. Резонансная длина волны зависела от угла падения света в соответствии с законом Брэгга.
  • А.В. Кильдишев, В.М. Шалаев. УФН, 181 (1), 59 (2011)
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 7. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1982)
  • Г. ван де Хюлст. Рассеяние света малыми частицами (М., Изд-во. иностр. лит., 1961) [H.C. van de Hulst. Light Scattering by Small Particles (Dover, N. Y., 1981)]
  • М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 32, 513 (1998)
  • A. Claverie, F. Namavar, Z. Liliental-Weber. Appl. Phys. Lett., 62, 1271 (1993)
  • D. Crouse, D.D. Nolte, J.C.P. Chang, M.R. Melloch. J. Appl. Phys., 81, 7981 (1997)
  • Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  • S.U. Dankowski, D. Streb, M. Ruff, P. Kiesel, M. Kneissl, B. Knupfer, G.H. Dohler, U.D. Keil, C.B. Sorenson, A.K. Verma. Appl. Phys. Lett., 68, 37 (1996)
  • D.D. Nolte. J. Appl. Phys., 76, 3740 (1994)
  • V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Eng. B, 88, 195 (2002)
  • N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.N. Faleev, A.E. Kunitsyn, D.I. Lubyshev, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, V.V. Tretyakov. Semicond. Sci. Technol., 12, 51 (1997)
  • T.M. Cheng, C.V. Chang, A. Chin, M.F. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 2517 (1994)
  • Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин. ФТП, 29, 2232 (1995)
  • В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, А.Е. Куницын, Ю.Г. Мусихин, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, P. Werner. ФТП, 32, 1161 (1998)
  • В.В. Чалдышев, М.А. Яговкина, М.В. Байдакова, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43, 1117 (2009)
  • M.V. Baidakova, N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, V.N. Nevedomsky, M.A. Yagovkina, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Physica B, 404, 4970 (2009)
  • А.В. Бойцов, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43, 278 (2009)
  • N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, Y.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74, 1442 (1999)
  • G.M. Martin. Appl. Phys. Lett., 39, 747 (1981)
  • S. Adachi. J. Appl. Phys., 58 (3), R1 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.