"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантово-размерный эффект в пленках кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода
Тысченко И.Е.1, Володин В.А.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

В пленки кремний-на-изоляторе толщиной 280 нм были имплантированы ионы водорода с энергией 24 кэВ дозой 5·1017 см-2. В спектрах комбинационного рассеяния света наблюдались пики, соответствующие локализации оптических фононов в нанокристаллах кремния с размерами 1.9-2.5 нм. Доля нанокристаллической фазы составляла ~10%. Обнаружена полоса фотолюминесценции с максимумом около 1.62 эВ, интенсивность которой имела немонотонную зависимость от температуры измерений в диапазоне 88-300 K. Рост излучательной рекомбинации при температуре менее 150 K объясняется в рамках двухуровневой модели энергии сильно локализованных электронов и дырок. Величина энергии активации роста фотолюминесценции составляет 12.4 мэВ и соответствует энергии расщепления возбужденного состояния носителей зарядов, локализованных в нанокристалле кремния.
  1. А.И. Екимов, А.А. Онущенко. Письма ЖЭТФ, 34, 363 (1981)
  2. L.T. Cahnam. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  3. S. Mukhopadhyay, A. Chowdhury, S. Ray. Thin Sol. Films, 516, 6824 (2008)
  4. M.N. van den Donker, B. Rech, F. Finger, W.M.M. Kessels, M.C.M. van de Sanden. Appl. Phys. Lett., 87, 263 503 (2005)
  5. M.H. Brodsky, M. Cardona, J.J. Cuomo. Phys. Rev. B, 16, 3556 (1977)
  6. Y. Hishikava. J. Appl. Phys., 62, 3150 (1987)
  7. F.A. Sarrot, Z. Iqbal, S. Veprek. Sol. St. Commun., 42, 465 (1982)
  8. G. Faraci, S. Gibilisco, P. Russo, A. Pennisi. Phys. Rev. B, 73, 033 307 (2006)
  9. J. Zi, H. Buscher, C. Falter, W. Ludwig, K. Zhang, X. Xie. Appl. Phys. Lett., 69, 200 (1996)
  10. H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
  11. YM.K. Weldon, V.E. Marsico, Y.J. Cjabal, A. Agarwal, D.J. Eaglesham, J. Sapjeta, W.L. Brown, D.C. Jacobson, Y. Caudano, S.B. Christman, E.E. Chaban. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 1065 (1997)
  12. Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16, 1209 (1982)
  13. M.L. Brongersma, P.G. Kik, A. Pollman, K.S. Min, H.A. Atwater. Appl. Phys. Lett., 76, 351 (2000)
  14. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  15. S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi. Phys. Rev. B, 62, 16 820 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.