"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Николаев А.Е.1,2, Сахаров А.В.1,2, Рожавская М.М.1,2, Усов С.О.1,2, Брунков П.Н.1, Синицын М.А.1,2, Дадыдов Д.В.1,2, Мизеров М.Н.2, Черкашин Н.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологичеcкий центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration
Поступила в редакцию: 5 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Представлены результаты исследований свойств композитных гетероструктур InGaN/GaN/InAlN. Показано, что в слое InAlN наблюдается значительная фазовая сепарация, которая приводит к формированию трехмерных островков, состоящих из областей AlN-InAlN-AlN. Размеры этих островков зависят как от толщины слоя InAlN, так и от условий эпитаксиального роста. Использование прерываний во время роста InAlN позволяет влиять на структурные свойства островков InAlN. Использование композитных гетероструктур InGaN/GaN/InAlN со слоем InGaN высокого состава в качестве активной области светодиодных структур позволяет получить излучение в желто-красном диапазоне длин волн 560-620 нм.
  1. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996)
  2. Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 83 (12), 2099 (2002)
  3. А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, Н.В. Крыжановская, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, С.О. Усов, П.Н. Брунков, В.В. Гончаров, Н.А. Черкашин, M. Hytch. ФТП, 44 (10), 1382 (2010)
  4. M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
  5. HREM Research, http://www.hremresearch.com
  6. N. Cherkashin, M.J. Hytch, E. Snoeck, F. Hue, J.M. Hartmann, Y. Bogumilowicz, A. Claverie. NIMB B 253 (1-2), 145 (2006)
  7. J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of Dislocations (Mac Graw-Hill, N. Y., 1968)
  8. B. Van Daele, G. Van Tendeloo, K. Jacobs, I. Moerman, M.R. Leys. Appl. Phys. Lett., 85, 4379 (2004)
  9. H.K. Cho, J.Y. Lee, N. Sharma, C.J. Humphreys, G.M. Yang. Appl. Phys. Lett., 79, 2594 (2001)
  10. Yong-Tae Moon, Dong-Joon Kim, Keun-Man Song, Chel-Jong Choi, Sang-Heon Han, Tae-Yeon Seong, Seong-Ju Park. J. Appl. Phys., 89 (11), 6514 (2001)
  11. A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, D.A. Bedarev, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Proc. IWN2000, Nagoya, Sept. 24-27, 2000
  12. E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, A.S. Segal, A.V. Lobanova, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.F. Tsatsulnikov, A.E. Nikolaev. J. Cryst. Growth, 310 (23), 4862 (2008)
  13. Ta-Chuan Kuo, Wei-Jen Chen, Chih-Chun Ke, Cheng-Wei Hung, Hui-Tang Shen, Jen-Cheng Wang, Ya-Fen Wu, Tzer-En Nee. Proc. SPIE, 6473, 64730D (2007)
  14. А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, В.С. Сизов, С.О. Усов, Ю.Г. Мусихин, D. Gerthsen. ФТП, 45 (2), 274 (2011)
  15. А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, С.О. Усов, В.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Н.А. Черкашин, M. Hytch, F. Hue, Е.В. Яковлев, А.В. Лобанова, А.Ф. Цацульников. ФТП, 43 (6), 841 (2009)
  16. A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 14, 575 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.