"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Композитные InGaN/GaN/InAlN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В.1,2, Заварин Е.Е.1,2, Николаев А.Е.1,2, Сахаров А.В.1,2, Рожавская М.М.1,2, Усов С.О.1,2, Брунков П.Н.1, Синицын М.А.1,2, Дадыдов Д.В.1,2, Мизеров М.Н.2, Черкашин Н.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологичеcкий центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration
Поступила в редакцию: 5 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Представлены результаты исследований свойств композитных гетероструктур InGaN/GaN/InAlN. Показано, что в слое InAlN наблюдается значительная фазовая сепарация, которая приводит к формированию трехмерных островков, состоящих из областей AlN-InAlN-AlN. Размеры этих островков зависят как от толщины слоя InAlN, так и от условий эпитаксиального роста. Использование прерываний во время роста InAlN позволяет влиять на структурные свойства островков InAlN. Использование композитных гетероструктур InGaN/GaN/InAlN со слоем InGaN высокого состава в качестве активной области светодиодных структур позволяет получить излучение в желто-красном диапазоне длин волн 560-620 нм.
  • S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996)
  • Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 83 (12), 2099 (2002)
  • А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, Н.В. Крыжановская, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, С.О. Усов, П.Н. Брунков, В.В. Гончаров, Н.А. Черкашин, M. Hytch. ФТП, 44 (10), 1382 (2010)
  • M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
  • HREM Research, http://www.hremresearch.com
  • N. Cherkashin, M.J. Hytch, E. Snoeck, F. Hue, J.M. Hartmann, Y. Bogumilowicz, A. Claverie. NIMB B 253 (1-2), 145 (2006)
  • J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of Dislocations (Mac Graw-Hill, N. Y., 1968)
  • B. Van Daele, G. Van Tendeloo, K. Jacobs, I. Moerman, M.R. Leys. Appl. Phys. Lett., 85, 4379 (2004)
  • H.K. Cho, J.Y. Lee, N. Sharma, C.J. Humphreys, G.M. Yang. Appl. Phys. Lett., 79, 2594 (2001)
  • Yong-Tae Moon, Dong-Joon Kim, Keun-Man Song, Chel-Jong Choi, Sang-Heon Han, Tae-Yeon Seong, Seong-Ju Park. J. Appl. Phys., 89 (11), 6514 (2001)
  • A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, D.A. Bedarev, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Proc. IWN2000, Nagoya, Sept. 24-27, 2000
  • E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, A.S. Segal, A.V. Lobanova, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.F. Tsatsulnikov, A.E. Nikolaev. J. Cryst. Growth, 310 (23), 4862 (2008)
  • Ta-Chuan Kuo, Wei-Jen Chen, Chih-Chun Ke, Cheng-Wei Hung, Hui-Tang Shen, Jen-Cheng Wang, Ya-Fen Wu, Tzer-En Nee. Proc. SPIE, 6473, 64730D (2007)
  • А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, В.С. Сизов, С.О. Усов, Ю.Г. Мусихин, D. Gerthsen. ФТП, 45 (2), 274 (2011)
  • А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, С.О. Усов, В.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Н.А. Черкашин, M. Hytch, F. Hue, Е.В. Яковлев, А.В. Лобанова, А.Ф. Цацульников. ФТП, 43 (6), 841 (2009)
  • A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 14, 575 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.