"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Малосигнальный эффект поля в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/InAs
Тихов С.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 29 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Квантовые точки InAs, встроенные в область пространственного заряда эпитаксиальной пленки n-GaAs на разные расстояния от поверхности (5-300 нм), уменьшают потенциальный барьер для электронов, локализованных в n-GaAs. Для туннельно-тонких покровных слоев это связано с туннелированием через энергетические уровни квантовых точек, а для толстых слоев --- с отрицательным заряжением уровней квантования и дефектов, локализующихся вблизи квантовых точек. Уменьшение барьера увеличивает захват электронов на поверхностные состояния и смещает частотную дисперсию подвижности в эффекте поля, связанную с этим захватом, в сторону более высоких частот. При встраивании квантовых точек вблизи подножия барьера они проявляются в релаксации слабосигнального эффекта поля. Определены некоторые параметры уровней квантования. Обнаружено дефектообразование в слоях, прилегающих к квантовым точкам.
  • Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  • M. Grudmann. Physika E, 5, 167 (2000)
  • И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.В. Тихов, Д.О. Филатов, А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков. ФТП, 38, 448 (2004)
  • С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь. ЖТФ, 73, 69 (2003)
  • P.N. Brunkov, A. Patane, A. Levin, L. Eaves, P.C. Main. Phys. Rev. B, 65, 085 326 (2002)
  • М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП. 31, 1249 (1997)
  • Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, Е.Р. Линькова, В.Я. Алешкин, И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 31, 1001 (1997)
  • М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 33, 184 (1999)
  • Г.П. Пека. Физика поверхности полупроводников (Киев, Изд-во Киев. ун-та, 1967)
  • H.C. Montgomery. Phys. Rev., 106, 441 (1957)
  • С.В. Тихов. ФТП, 29, 742 (1995)
  • В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука. Сиб. отд-ние, 1984)
  • А.Э. Юнович. ФТТ, 1, 1092 (1959)
  • Н.Л. Дмитрук, В.И. Ляшенко, О.И. Маева. УФЖ, 19, 1375 (1974)
  • Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука. Ленингр. отд-ние, 1981)
  • Б.И. Бедный, М.В. Шилова, С.В. Тихов, И.А. Карпович. ФТП, 14, 2134 (1980)
  • С.В. Тихов, В.В. Мартынов. Изв. вузов. Физика, 4, 61 (1986)
  • Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  • E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell Syst. Tech., 46, 1055 (1967)
  • A. Zenling, E. Klausmann, A. Goetzberger. Sol. St. Electron., 15, 559 (1972)
  • B.J. Warburton. Phys. Rev. Lett., 79 (26), 5282 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.