"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Малосигнальный эффект поля в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/InAs
Тихов С.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 29 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Квантовые точки InAs, встроенные в область пространственного заряда эпитаксиальной пленки n-GaAs на разные расстояния от поверхности (5-300 нм), уменьшают потенциальный барьер для электронов, локализованных в n-GaAs. Для туннельно-тонких покровных слоев это связано с туннелированием через энергетические уровни квантовых точек, а для толстых слоев --- с отрицательным заряжением уровней квантования и дефектов, локализующихся вблизи квантовых точек. Уменьшение барьера увеличивает захват электронов на поверхностные состояния и смещает частотную дисперсию подвижности в эффекте поля, связанную с этим захватом, в сторону более высоких частот. При встраивании квантовых точек вблизи подножия барьера они проявляются в релаксации слабосигнального эффекта поля. Определены некоторые параметры уровней квантования. Обнаружено дефектообразование в слоях, прилегающих к квантовым точкам.
  1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  2. M. Grudmann. Physika E, 5, 167 (2000)
  3. И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.В. Тихов, Д.О. Филатов, А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков. ФТП, 38, 448 (2004)
  4. С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь. ЖТФ, 73, 69 (2003)
  5. P.N. Brunkov, A. Patane, A. Levin, L. Eaves, P.C. Main. Phys. Rev. B, 65, 085 326 (2002)
  6. М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.В. Максимов, Н.Н. Леденцов. ФТП. 31, 1249 (1997)
  7. Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, Е.Р. Линькова, В.Я. Алешкин, И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 31, 1001 (1997)
  8. М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин. ФТП, 33, 184 (1999)
  9. Г.П. Пека. Физика поверхности полупроводников (Киев, Изд-во Киев. ун-та, 1967)
  10. H.C. Montgomery. Phys. Rev., 106, 441 (1957)
  11. С.В. Тихов. ФТП, 29, 742 (1995)
  12. В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука. Сиб. отд-ние, 1984)
  13. А.Э. Юнович. ФТТ, 1, 1092 (1959)
  14. Н.Л. Дмитрук, В.И. Ляшенко, О.И. Маева. УФЖ, 19, 1375 (1974)
  15. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука. Ленингр. отд-ние, 1981)
  16. Б.И. Бедный, М.В. Шилова, С.В. Тихов, И.А. Карпович. ФТП, 14, 2134 (1980)
  17. С.В. Тихов, В.В. Мартынов. Изв. вузов. Физика, 4, 61 (1986)
  18. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  19. E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell Syst. Tech., 46, 1055 (1967)
  20. A. Zenling, E. Klausmann, A. Goetzberger. Sol. St. Electron., 15, 559 (1972)
  21. B.J. Warburton. Phys. Rev. Lett., 79 (26), 5282 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.