"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Создание и фотоэлектрические свойства гетероструктур Ox/p-InAs
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.2, Теруков Е.И.2, Ушакова Т.Н.2, Сергинов М.С.3
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Туркменский государственный университет им. Махтумгули, Ашхабад, Туркменистан
Поступила в редакцию: 22 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Впервые методом поверхностного термического взаимодействия арсенида индия с нормальной воздушной атмосферой Земли получены гетероструктуры, представляющие собой контакт тонкой пленки собственного окисла Ox арсенида индия с пластиной InAs. Исследованы первые вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фоточувствительности гетероструктур Ox/p-InAs. Впервые для этих гетероструктур обнаружено выпрямление и анализируются спектральные зависимости фоточувствительности. Сделан вывод о возможности использования новой технологии для получения широкополосных фотодетекторов оптического излучения Ox/p-InAs.
  1. Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., Изд-во ЛГУ, 1963)
  2. В.И. Стафеев. ФТП, 44, 232 (2010)
  3. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
  4. Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976)
  5. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
  6. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, под ред. Р.А. Суриса. В 2-х кн. (М., Мир, 1973)
  7. Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  8. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  9. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.