Сообщается об экспериментальном обнаружении и исследовании терагерцовой фотолюминесценции при стационарном, межзонном фотовозбуждении эпитаксиальных слоев n-GaN(Si). Свойства спектра терагерцового излучения, его зависимость от температуры и интенсивности фотовозбуждения свидетельствуют о том, что излучение возникает в результате захвата неравновесных электронов на заряженные доноры. При низких температурах в материале n-типа заряженные доноры могут образовываться в результате рекомбинации неравновесных дырок с электронами, локализованными на донорных центрах. Основной вклад в терагерцовую фотолюминесценцию дают 2P-> 1S оптические переходы между первым возбужденнным и основным состоянием доноров. Кроме того, в спектре терагерцового излучения проявляются оптические переходы электронов из состояний в зоне проводимости на основное состояние доноров, а также переходы на возбужденные состояния доноров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.