"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства наноструктурированных пленок сульфида свинца с кубической структурой типа D03
Садовников С.И.1, Кожевникова Н.С.1, Гусев А.И.1
1Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 10 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 1 декабря 2011 г.

В диапазоне длин волн 300-3200 нм измерено оптическое пропускание наноструктурированных кубических пленок PbS со структурой типа D03, имеющих толщину от ~120 до ~400 нм. Электронно-микроскопическое исследование микроструктуры показало, что около половины всех частиц пленок имеют размер 60 нм и менее. При уменьшении среднего размера наночастиц пленок ширина запрещенной зоны Eg увеличивается от 0.85 до 1.5 эВ, что больше ширины зоны крупнозернистого PbS, равной 0.41 эВ. Это указывает на синее смещение полосы оптического поглощения в изученных наноструктурированных пленках сульфида свинца.
  • W.W. Scanlon. J. Phys. Chem. Sol., 8, 423 (1959)
  • R.B. Schoolar, J.R. Dixon. Phys. Rev. A, 137 (2), 667 (1965)
  • J.N. Zemmel, J.D. Jensen, R.B. Schoolar. Phys. Rev. A, 140 (1), 330 (1965)
  • А.А. Ремпель. Успехи химии, 76 (5), 474 (2007)
  • Baolong Yu., Guosheng Yin, Congshan Zhu, Fuxi Gan. Optical Mater., 11 (1), 17 (1998)
  • Y.J. Yang, L.Y. He, Q.F. Zhang. Electrochem. Commun., 7(4), 361 (2005)
  • J.J. Peterson, T.D. Krauss. Nano Lett. 6 (3), 510 (2006)
  • S.B. Qadri, A. Singh, M. Yousuf. Thin Sol. Films, 431--432, 506 (2003)
  • С.И. Садовников, А.И. Гусев, А.А. Ремпель. Письма ЖЭТФ, 89 (5), 279 (2009)
  • С.И. Садовников, А.А. Ремпель. Докл. АН, 427 (1), 451 (2009)
  • С.И. Садовников, А.А. Ремпель. ФТТ, 51 (11), 2237 (2009)
  • С.И. Садовников, Н.С. Кожевникова, А.А. Ремпель. ФТП, 44 (10), 1394 (2010)
  • Y. Wang, A. Suna, W. Mahier, R. Kasowski. J. Chem. Phys., 87 (12), 7315 (1987)
  • Ping Yang, Chun Feng Song, Meng Kai Lu, Xin Yin, Guang Jun Zhou, Dong Xu, Duo Rong Yuan. Chem. Phys. Lett., 345 (5--6), 429 (2001)
  • A. Sashchiuk, E. Lifshitz, R. Reisfeld, T. Saraidarov, M. Zelner, A. Willenz. J. Sol-Gel Sci. Techonol., 24 (1), 31 (2002)
  • L. Bakueva, S. Musikhin, M.A. Hines, T.-W. Chang, M. Tzolov, G.D. Scholes, E.H. Sargent. Appl. Phys. Lett., 82 (17), 2895 (2003)
  • Yongbin Zhao, Jianhua Zou, Wenfang Shi. Mater. Sci. Eng. B, 121(1--2), 20 (2005)
  • S. Jana, R. Thapa, R. Maity, K.K. Chattopadhyay. Physica E, 40 (10), 3121 (2008)
  • I. Pop, C. Nascu, V. Ionescu, E. Indrea, I. Bratu. Thin Sol. Films, 307 (1--2), 240 (1997)
  • S.M. Salim, O. Hamid. Renewable Energy, 24 (3--4), 575 (2001)
  • J. Puiso, S. Tamulevicius, G. Laukaitis, S. Lindroos, M. Leskela, V. Snitka. Thin Sol. Films, 403--404, 457 (2002)
  • J.J. Valenzuel-Jaureguia, R. Ramirez-Bon, A. Mendoza-Galvan, M. Sotelo-Lerma. Thin Sol. Films, 441, 104 (2003)
  • R.W. Morton, D.E. Simon, J.J. Gislason, S. Taylor. Adv. X-ray Anal., 46 (1), 80 (2003)
  • X'Pert Plus Version 1.0 Program for Crystallography and Rietveld analysis Philips Analytical B.V. Koniklijke Philips Electronics N. V
  • W.H. Hall, G.K. Williamson. Proc. Phys. Soc. (London). Sect. B, 64 (383), 937 (1951)
  • С.И. Садовников, Н.С. Кожевникова, А.А. Ремпель. Физика и химия стекла, 35 (1), 74 (2009)
  • Н.С. Белова, А.А. Урицкая, Г.А. Китаев. ЖПХ, 75 (10), 1598 (2002)
  • S.V. Anishchik, N.N. Medvedev. Phys. Rev. Lett., 75 (23), 4314 (1995)
  • J.I. Pankove. Optical processes in semiconductors, 2nd edn (N. Y., Dover Publ., 1975)
  • Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  • C.F. Klingshirn. Semiconductor Optics (N. Y., Springer, 2005)
  • R.J. Elliot. Phys. Rev., 108 (6), 1384 (1957)
  • M.R. Holter, S. Nudelman, G.H. Suits, W.L. Wolfe, G.J. Zissis. Fundamental of Infrared Technology (N. Y., MacMillan, 1962)
  • D.M. Mittleman, R.W. Schoenlein, J.J. Shiang, V.L. Colvin, A.P. Alivisatos, C.V. Shank. Phys. Rev. B, 49 (20), 14 435 (1944)
  • F. Mozer, F. Urbach. Phys. Rev., 102 (6), 1519 (1956)
  • Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16 (7), 1209 (1982)
  • L.E. Brus. J. Chem. Phys., 80 (12), 4403 (1984)
  • Y. Kayanuma. Phys. Rev. B, 38 (14), 9797 (1988)
  • K.F. Cuff, M.R. Ellet, C.D. Kuglin, L.R. Williams. Proc. 7th Int. Conf. Phys. Semiconductors (Dunod, Paris, 1964) р. 677
  • Landolt--Bornstein: Zahlenwerte und Funktionen aus Naturwissenschaften und Technik --- Neue Serie/Grouppe III: Kristall- und Festkorperphysik, eds K.-H. Hellwege, O. Madelung (Berlin--Heidelberg--N. Y.--Tokyo, Springer--Verlag, 1983) Band 17 f. p. 155
  • А.И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. 3-е изд. (М., Физматлит, 2009) с. 166
  • A.I. Gusev, A.A. Rempel. Nanocrystalline Materials (Cambridge, Cambridge Int. Science Publ., 2004) p. 137.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.