"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические свойства структур диэлектрик-полупроводник на основе германия с диэлектрическим слоем полинуклеотидов и их мономерных компонент на поверхности
Яфясов А.М.1, Бакулев В.М.1, Коноров П.П.1, Божевольнов В.Б.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

Показано, что адсорбция молекул нуклеиновых кислот и их мономерных компонент --- азотистых оснований из водных растворов приводит к формированию диэлектрического слоя на поверхности германия. Сравнительно невысокие значения встроенного в диэлектрик заряда и плотности поверхностных состояний свидетельствуют о перспективности использования нуклеотидов как для формирования структур диэлектрик-полупроводник на основе германия с нанометровыми толщинами диэлеткрического слоя и низкой плотностью поверхностных состояний на межфазной границе, так и для пассивации поверхности германия. Изменение электронных свойств области пространственного заряда германия при адсорбции на его поверхности нуклеотидов может быть использовано в качестве метода контроля концентрации молекул нуклеотидов в водных растворах.
  1. С. Зи. Физика полупроводников приборов (М., Мир, 1984)
  2. P.P. Konorov, A.M. Yafyasov, V.V. Bogevolnov. Field Effect in Semiconductor-Electrolyte Interfaces (Princeton University Press, 2006)
  3. П.П. Коноров, А.М. Яфясов. Физика поверхности полупроводниковых электродов (СПб., Изд-во СПбГУ, 2003)
  4. В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников (М., Наука, 1965)
  5. Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых приборов (М., Высш. шк., 1987)
  6. M. Zvolak, M. Di Ventra. Rev. Mod. Phys., 80, 141 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.