"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические свойства структур диэлектрик-полупроводник на основе германия с диэлектрическим слоем полинуклеотидов и их мономерных компонент на поверхности
Яфясов А.М.1, Бакулев В.М.1, Коноров П.П.1, Божевольнов В.Б.1
1Санкт-Петербургский государственный университет (физический факультет), Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 21 ноября 2011 г.

Показано, что адсорбция молекул нуклеиновых кислот и их мономерных компонент --- азотистых оснований из водных растворов приводит к формированию диэлектрического слоя на поверхности германия. Сравнительно невысокие значения встроенного в диэлектрик заряда и плотности поверхностных состояний свидетельствуют о перспективности использования нуклеотидов как для формирования структур диэлектрик-полупроводник на основе германия с нанометровыми толщинами диэлеткрического слоя и низкой плотностью поверхностных состояний на межфазной границе, так и для пассивации поверхности германия. Изменение электронных свойств области пространственного заряда германия при адсорбции на его поверхности нуклеотидов может быть использовано в качестве метода контроля концентрации молекул нуклеотидов в водных растворах.
  • С. Зи. Физика полупроводников приборов (М., Мир, 1984)
  • P.P. Konorov, A.M. Yafyasov, V.V. Bogevolnov. Field Effect in Semiconductor-Electrolyte Interfaces (Princeton University Press, 2006)
  • П.П. Коноров, А.М. Яфясов. Физика поверхности полупроводниковых электродов (СПб., Изд-во СПбГУ, 2003)
  • В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников (М., Наука, 1965)
  • Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых приборов (М., Высш. шк., 1987)
  • M. Zvolak, M. Di Ventra. Rev. Mod. Phys., 80, 141 (2008)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.