"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перемещение границы p-n-перехода в GaAs : Si при гиратронном облучении
Сукач Г.А.1, Кидалов В.В.2
1Национальный университет биоресурсов и природопользования Украины, Киев, Украина
2Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
Поступила в редакцию: 17 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 21 ноября 2011 г.

Показано, что с помощью гиратронного облучения возможно управление положением p-n-перехода в уже изготовленной светоизлучающей структуре. Сдвиг компенсированной области излучающей структуры на основе GaAs : Si, обусловлен движением примесей в поле термоупругих напряжений, появляющихся в процессе остывания образцов после гиратронного облучения.
  • Э.Л. Савин, Б.И. Болтакс. ФТП, 5 (7), 1331 (1971)
  • Б.И. Болтакс, С.М. Городецкий, Т.Д. Джафаров, Г.С. Куликов, Р.Ш. Малкович. ФТТ, 13 (11), 3420 (1971)
  • А.В. Двуречинский, Г.А. Качурин, Е.В. Нидаев, Л.С. Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов (М., Наука, 1982)
  • Г.А. Сукач. ФТП, 27 (5), 697 (1993)
  • Г.А. Сукач. ФТП, 31 (6), 753 (1997)
  • И.Б. Пузин. ПТЭ, N 4, 155 (1983)
  • Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме (М., Наука, 1968)
  • Г.А. Сукач, Н.И. Сыпко, А.Б.Богословская, А.Е. Гафт, Е.А. Глушков, В.Д. Лисовенко, А.А. Литвин, В.А. Шевченко. ОПТ, N 26, 64 (1993)
  • Г.А. Сукач, Г.С. Свечников, Н.И. Сыпко. ОПТ, N 27, 50 (1994)
  • Д.Д. Эшебли. Континуальная теория дислокаций (М., ИЛ, 1963)
  • В.П. Воронков, Г.А. Гурченок. ФТП, 24 (10), 1831 (1990)
  • Л.Н. Лариков, В.М. Фальченко, В.Ф. Мазанко, С.М. Гуревич, Г.К. Харченко, А.И. Игнатенко. ДАН СССР, 227, 1073 (1976)
  • А.В. Ржанов, Н.Н. Герасименко, С.В. Васильев, В.И. Ободников. Письма ЖТФ, 7 (20), 1221 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.