"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов
Кузнецов В.П.1,2, Степихова М.В.2, Шмагин В.Б.2, Марычев М.О.3, Алябина Н.А., Кузнецов М.В., Андреев Б.А.2, Корнаухов А.В., Горшков О.Н., Красильник З.Ф.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

Демонстрируется способ соединения нескольких p+-n-переходов в одной структуре Si : Er/Si, позволяющий увеличить интенсивность электролюминесценции на длине волны 1.54 мкм. Структуры выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии.
  • М.В. Степихова, А.М. Шаронов, В.П. Кузнецов. Патент РФ2407109, HOIL 33/04, опубликован 20.12.2010 приоритет от 5.10.2009
  • В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 413 (2010)
  • В.П. Кузнецов, М.В. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 402, (2010)
  • В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, И.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 41, 1329, (2007)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.