"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спинодальный распад четверных твердых растворов GaxIn1-xAsyP1-y
Середин П.В.1, Глотов А.В.1, Терновая В.Е.1, Домашевская Э.П.1, Арсентьев И.Н.2, Вавилова Л.С.2, Тарасов И.С.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

Методами рентгеноструктурного анализа, растровой электронной и атомно-силовой микроскопии и фотолюминесцентной спектроскопии показана возможность получения на поверхности жидкофазных эпитаксиальных гетероструктур мелкомасштабной доменной структуры, возникающей в результате спинодального распада четверного твердого раствора GaxIn1-xAsyP1-y по причине несмешиваемости его компонентов и релаксации параметра его кристаллической решетки к окружающим слоям.
  • T.P. Pearsall. GaInAsP alloy semiconductors (N.Y., Wiley, 1982)
  • Л.С. Вавилова, А.В. Иванова, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, И.С. Тарасов, И.Н. Арсентьев, Н.А. Бурт, Ю.Г. Мусихин, Н.А. Пихтин, Н.Н. Фалеев. ФТП, 32 (6), 658 (1998)
  • Л.С. Вавилова, В.А. Капитонов, Д.А. Лившиц, А.В. Лютецкий, А.В. Мурашова, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, И.С. Тарасов. ФТП, 34 (3), 325 (2000)
  • N.A. Bert, A.T. Gorelenok, A.G. Dzigasov, S.G. Konnikov, T.B. Popova, V.K. Tiblov. J. Cryst. Growth, 52, 716 (1981)
  • L.S. Vavilova, V.A. Kapitonov, A.V. Murashova, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, I.P. Ipatova, V.A. Shchukin, N.A. Bert, A.A. Sitnikova. ФТП, 33 (9), 1010 (1999)
  • O. Ueda, S. Isozumi, S. Komiya. Jap. J. Appl. Phys., 23 (4), L241 (1984)
  • C. Mendorf, G. Brockt, Q. Liu, F. Schulze, E. Kubalek, I. Rechenberg, A. Knauer, A. Behres, M. Heuken, K. Heime, H. Lakner. Inst. Phys. Conf. Ser. N 157; Microsc. Semicond. Mater. Conf., Oxford, 7--10 April, 251 (1997)
  • P. Henoc, A. Izrael, M. Quillec, H.L. Launois. Appl. Phys. Lett., 40 (11), 963 (1982)
  • F. Gals, M.M.J. Treacy, M. Quillec, H. Launois. Journal de physique, C5 (43), 5 (1982)
  • I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin. ФТП, 27 (2), 285 (1993)
  • S. Mukai. J. Appl. Phys., 54 (5), 2635 (1983)
  • A. Knauer, G. Erbert, S. Gramlich, A. Oster, E. Richter, U. Zeimer, M. Weyers. J. Electron. Mater., 24 (11), 1655 (1995)
  • Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.А. Долгополова, И.Е. Занин, И.Н. Арсентьев, Д.В. Винокуров, А.Л. Станкевич, Arsent'ev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich. ФТП, 39 (3), 336 (2005)
  • Yu.A. Goldberg. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. (World Scientific, London, 1999) 2, 1
  • V.L. Alperovich, Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, A.G. Paulish, A.S. Terekhov, A.S. Yaroshevich. ФТП 35 (9), 1054 (2001)
  • C. Lamberti. Surface Science Reports, 53 (2004)
  • N. Nakajima, A. Yamaguchi, K. Akita, T. Kotani. J. Electrochem. Soc. 125, 123 (1978)
  • И.Н. Арсентьев, Д.З. Гарбузов, С.Г. Конников, К.Ю. Погребицкий, А.Е. Свелокузов, Н.Н. Фалеев, А.В. Чудинов. ФТП, 20 (12), 2206 (1986)
  • И.Н. Арсентьев. Автореф. докт. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.