"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства эпитаксиальных слоев твердых растворов AlxIn1-xSb
Комков О.С.1, Семенов А.Н.2, Фирсов Д.Д.1, Мельцер Б.Я.2, Соловьев В.А.2, Попова Т.В.2, Пихтин А.Н.1, Иванов С.В.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

Проведены оптические исследования ненапряженных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов AlxIn1-xSb, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках полуизолирующего GaAs с использованием буферного слоя AlSb. Состав твердых растворов изменялся в пределах x=0-0.52 и контролировался методом рентгеноспектрального микроанализа. Ширина запрещенной зоны Eg определялась по краю фундаментального поглощения с учетом непараболичности зоны проводимости. Уточненный коэффициент нелинейности полученной зависимости Eg(x) для AlxIn1-xSb составил 0.32 эВ, что на 0.11 эВ ниже общепринятого значения.
  • Asahi Kasei Corporation, http://www.asahi-kasei.co.jp
  • T. Ashley, L. Buckle, S. Datta, M.T. Emeny, D.G. Hayes, K.P. Hilton, R. Jefferies, T. Martin, T.J. Phillips, D.J. Wallis, P.J. Wilding, R. Chau. Electron. Lett., 43, 777 (2007)
  • K.J. Goldammer, S.J. Chung, W.K. Liul, M.B. Santos, J.L. Hicks, S. Raymond, S.Q. Murphy. J. Cryst. Growth 201/202, 753 (1999)
  • Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional relationships in Science and Technology, ed. by O. Madelung, M. Schulz, H. Wiess. (N.Y. Springer, 1982) v. 17a, 336, 612
  • Я. Агаев, Н.Г. Бекмедова. ФТП, 5, 1523 (1971)
  • S. Isomura, F.G.D. Prat, J.C. Woolley. Phys. Status. Solidi B, 65, 213 (1974)
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5831 (2001)
  • S. Adachi. Properties of semiconductor alloys. Group--IV, III--V and II--VI Semiconductors (WILEY, 2009) 166
  • N. Dai, F. Brown, R.E. Doezema, S.J. Chung, K.J. Goldammer, M.B. Santos. Appl. Phys. Lett., 73, 3132 (1998)
  • А.Н. Пихтин, Х.Х. Хегази. ФТП, 43, 1301 (2009)
  • А.Н. Семенов, Б.Я. Мельцер, В.А. Соловьев, Т.А. Комиссарова, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко, А.М. Надточий, Т.В. Попова, П.С. Копьев, С.В. Иванов. ФТП, 45, 1379(2011)
  • J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)
  • R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
  • А.Н. Пихтин, А.Д. Яськов. ФТП, 22, 969 (1988)
  • А.В. Раков. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур (М., Сов. Радио, 1975)
  • P.K. Chakraborty, L.J. Singh, K.P. Ghatak. J. Appl. Phys., 95, 5311 (2004)
  • A. Joullie, B. Girault, A.M. Joullie, A. Zien-Eddine. Phys. Rev. B, 25, 7830 (1982).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.