Показано, что изменение приборных характеристик и увеличение эффективности преобразования световой энергии в электрическую в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки связано с влиянием встроенного в контакт электрического поля периферии. Для исследуемых контактов с большим периметром изменения приборных характеристик и эффективность преобразования световой энергии в электрическую значительно больше. Из-за того, что электрическое поле фотоэдс, как и электрическое поле периферии, в области контакта сонаправлено с собственным электрическим полем области пространственного заряда, освещение контакта приводит к более сильному увеличению "мертвой" области на прямых ветвях вольт-амперных характеристик, более сильному уменьшению эффективной высоты барьера Шоттки и увеличению полевой эмиссии электронов. Увеличение полевой эмиссии в обратном направлении под воздействием фотоэдс приводит к увеличению рекомбинационного тока в области пространственного заряда, что и обеспечивает протекание постоянного фототока в цепи.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.