Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дефекты кристаллической структуры в слоях Cd_xHg_1-xTe, выращенных на подложках из Si(310)

Якушев М.В.¹, Гутаковский А.К.¹, Сабинина И.В.¹, Сидоров Ю.Г.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 28 декабря 2010 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами просвечивающей электронной микроскопии и селективного травления исследована микроструктура слоев CdTe(310) и CdHgTe(310), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из Si. Установлено, что в гетероструктурах CdHgTe/CdTe/ZnTe/Si(310) образование антифазных доменов определяется условиями формирования интерфейса ZnTe/Si. Создав условия, облегчающие адсорбцию цинка, возможно получение монодоменных слоев. Повышение температуры роста и давления паров Te₂ вызывает появление антифазных доменов и увеличение их плотности вплоть до роста поликристалла. Обнаружено, что в гетероструктуре CdHgTe/Si(310) присутствуют дефекты упаковки, анизотропно распределенные в объеме выращенных слоев. Дефекты упаковки преимущественно лежат в одной плоскости (111), пересекающей поверхность (310) под углом 68^o. Зарождение дефектов упаковки происходит на границе раздела ZnTe/Si(310). Обсуждаются причины образования дефектов упаковки и их анизотропного распределения.

R.J. Koestner, H.F. Schaake. J. Vac. Sci. Technol. A, 6 (4), 2834 (1988)
Y.S. Ryu, B.S. Song, T.W. Kang, T.W. Kim. J. Mater. Sci, 39, 1147 (2008)
Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35 (9), 1092 (2001)
Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, А.П. Анциферов, М.В. Якушев. Оптич. журн., 67 (1), 39 (2000)
W. Kern, D.A. Puotinen. RCA Rev., 31, 187 (1970)
D.B. Fenner, D.K. Biegelsen, R.D. Bringans. J. Appl. Phys., 66, 419 (1989)
M. Inoue, J. Teramoto, S. Takayanagi. J. Appl. Phys., 33 (8), 2578 (1962)
P. Mackett. In: Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds, ed. by P. Capper (London, EMIS Data Review Series, 1944) v. 10, p. 188
А.К. Гутаковский, А.В. Катков, М.И. Катков, О.П. Пчеляков, М.А. Ревенко. Письма ЖТФ, 24 (24), 7 (1998)
R.D. Bringans, D.K. Beigelsen, L.-E. Swartz. Phys. Rev. B, 44 (7), 3054 (1991)
L.A. Almeida, L. Hirsch, M. Martinka, P.R. Boyd, J.H. Dinan. J. Electron. Mater., 30 (6), 608 (2001)
D.J. Hall, L. Buckle, N.T. Gordon, J. Giess, J.E. Hails, J.W. Cairns, R.M. Lawrence, A. Graham, R.S. Hall, C. Maltby, T. Ashle. Appl. Phys. Lett., 85 (11), 2113 (2004)
M.E. Groenert, J.K. Markunas. J. Electron. Mater., 35 (6), 1287 (2006)
A. Million, N.K. Dhar, J.H. Dinan. J. Cryst. Growth, 159, 76 (1996)
R.D. Bringans, D.K. Beigelsen, J.E. Northrup, L.E. Swartz. Jpn. J. Appl. Phys., 32, 1484 (1983)
R.D. Bringans, D.K. Beigelsen, L.-E. Swartz, F.A. Ponce, J.C. Tramontana. Phys. Rev. B, 45 (23), 13 400 (1992)
D.N. Pridachin, M.V. Yakushev, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets. J. Appl. Surf. Sci., 142, 485 (1999)
М.В. Якушев, Д.В. Брунев, К.Н. Романюк, А.Е. Долбак, А.С. Дерябин, Л.В. Миронова, Ю.Г. Сидоров. Поверхность, вып. 2, 41 (2008)
А.А. Бабенко, В.С. Варавин, В.В. Васильев, Л.В. Миронова, Д.Н. Придачин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.О. Сусляков. Прикл. физика, 4, 108 (2007)
S. Miwa, L.H. Kuo, K. Kimura, A. Ohtake, T. Yasuda, C.C. Jin, T. Yao. J. Cryst. Growth, 184/185, 41 (1998)
N. Wang, K.K. Fung, I.K. Sou. Appl. Phys. Lett., 77 (18), 2846 (2000)
L.H. Kuo, K. Kimura, S. Miwa, T. Yasuda, T. Yao. J. Electron. Mater., 26 (2), 53 (1997)
Y. Takagi, H. Yonezu, K. Samonji, T. Tsuji, N. Ohshima. J. Cryst. Growth, 187, 42 (1998)
А.К. Гутаковский, С.И. Стенин. В кн.: Современная электронная микроскопия в исследовании вещества М., Наука, 1982, с. 139
P.D. Brown, G.J. Russell, J. Woods. J. Appl. Phys., 66 (1), 129 (1989)
Д.Н. Придачин, М.В. Якушев, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец. Автометрия, вып. 1, 104 (2005)
М.В. Якушев, В.А. Швец, Ю.Г. Сидоров. Автометрия, вып. 3, 20 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель