"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии
Бородин П.А.1, Бухараев А.А.1, Филатов Д.О.2, Исаков М.А.2, Шенгуров В.Г.2, Чалков В.Ю.2, Денисов С.А.2
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии впервые исследована локальная плотность состояний в самоформирующихся наноостровках GeSi/Si(001). Получены токовые изображения и туннельные спектры индивидуальных островков GeSi/Si(001), отражающие соответственно пространственное и энергетическое распределение локальной плотности состояний в островках GeSi. Данные туннельной спектроскопии показывают, что поверхностные островки Ge0.3Si0.7/Si(001) проявляют свойства гетероструктур I типа.
  1. B. Grandidier, Y.M. Niquet, B. Lagrand, J.P. Nys, C. Priester, D. Stievenard, J.M. Gerard, V. Thierry-Mieg. Phys. Rev. Lett., 85, 1068 (2000)
  2. K. Suzuki, K. Kanisawa, C. Janes, S. Perraud, K. Takashina, T. Fujisawa, Y. Hirayama. Phys. Rev. Lett., 98, 6802 (2007)
  3. T. Maltezopoulos, A. Bolz, C. Meyer, C. Heyn, W. Hansen, M. Morgenstern, R. Wiesendanger. Phys. Rev. Lett., 91, 6804 (2003)
  4. П.А. Бородин, А.А. Бухараев, Д.О. Филатов, Д.А. Воронцов, М.А. Лапшина. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 71 (2009)
  5. Д.О. Филатов, П.А. Бородин, А.А. Бухараев. Поверхность. Рентгеновские. синхротронные и нейтронные исследования, в печати (2010)
  6. A. Olbrich, B. Ebersberger, C. Boit. Appl. Phys. Lett., 73, 3114 (1998)
  7. С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Ю.Н. Дроздов. Изв. РАН. Сер. физ., 65, 204 (2001)
  8. Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, С.В. Сипрова, М.О. Марычев, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. ФТП, 42, 1116 (2008)
  9. А.И. Машин, А.В. Нежданов, Д.О. Филатов, М.А. Исаков, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. ФТП, 44, 6272 (2010)
  10. T.I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R. Stanley Williams. J. Appl. Phys., 85, 1159 (1999)
  11. А.А. Бухараев, Н.В. Бердунов, Д.В. Овчинников, К.М. Салихов. Микроэлектроника, 26, 163 (1997)
  12. R.M. Feenstra, J.A. Stroscio. J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 923 (1987)
  13. В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин. ФТП, 31, 171 (1997)
  14. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
  15. Y. Shiraki, A. Sakai. Surf. Sci. R, 59, 153 (2005)
  16. R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 48, 538 (1986)
  17. L. Colombo, R. Resta, S. Baroni. Phys. Rev. B, 44, 5572 (1991)
  18. S. Fukatsu, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 63, 2378 (1993)
  19. D.C. Houghton, G.C. Aers, S.-R. Eric Yang, E. Wang, N.L. Rowell. Phys. Rev. Lett., 75, 866 (1995)
  20. M. El Kurdi, S. Sauvage, G. Fishman, P. Boucaud. Phys. Rev. B, 73, 195 327 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.