"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур CdxHg1-xTe
Варавин В.С.1, Сидоров Г.Ю.1, Гарифуллин М.О.1, Вишняков А.В.1, Сидоров Ю.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 18 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Исследовано явление гидрогенизации пленок CdxHg1-xTe. Гидрогенизация осуществлялась путем кипячения пленок CdxHg1-xTe в деионизованной воде либо с помощью электрохимических обработок. Установлено, что при контакте с водными средами в пленки вводятся акцепторные центры, концентрация которых может превышать 1017 см-3. Показано, что вводятся два типа акцепторов на основе водорода: быстрые и медленные, оценены их коэффициенты диффузии. Обнаружено, что часть водорода после обработок присутствует в электрически неактивном виде и может активироваться при дальнейшем хранении либо при прогревах. После активации концентрация дырок может достигать 1018 см-3. Обсуждается влияние pH среды на скорость введения водорода в материал.
  • А.В. Филатов, Е.В. Сусов, А.В. Гусаров, Н.М. Акимова, В.В. Крапухин, В.В. Карпов, В.И. Шаевич. Оптич. журн., 76, 49 (2009)
  • Z.S. Rak, S.D. Mahanti, D. Krishna. J. Electron. Mater., 8, 1210 (2009)
  • WM.C. Hughes, M.L. Swanson, J.C. Austin. J. Electron. Mater., 22, 1011 (1993)
  • G.Yu. Sidorov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin. Phys. Status Solidi C, 6, 1630 (2010)
  • В.С. Варавин, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров. Журн. физ. химии, 84, 1 (2010)
  • Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб., Наука, 1999) с. 390
  • В.В. Богобоящий. Конденсированные среды и межфазные границы, 2, 132 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.