"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние гидрогенизации на электрофизические свойства эпитаксиальных структур CdxHg1-xTe
Варавин В.С.1, Сидоров Г.Ю.1, Гарифуллин М.О.1, Вишняков А.В.1, Сидоров Ю.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 18 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Исследовано явление гидрогенизации пленок CdxHg1-xTe. Гидрогенизация осуществлялась путем кипячения пленок CdxHg1-xTe в деионизованной воде либо с помощью электрохимических обработок. Установлено, что при контакте с водными средами в пленки вводятся акцепторные центры, концентрация которых может превышать 1017 см-3. Показано, что вводятся два типа акцепторов на основе водорода: быстрые и медленные, оценены их коэффициенты диффузии. Обнаружено, что часть водорода после обработок присутствует в электрически неактивном виде и может активироваться при дальнейшем хранении либо при прогревах. После активации концентрация дырок может достигать 1018 см-3. Обсуждается влияние pH среды на скорость введения водорода в материал.
  1. А.В. Филатов, Е.В. Сусов, А.В. Гусаров, Н.М. Акимова, В.В. Крапухин, В.В. Карпов, В.И. Шаевич. Оптич. журн., 76, 49 (2009)
  2. Z.S. Rak, S.D. Mahanti, D. Krishna. J. Electron. Mater., 8, 1210 (2009)
  3. WM.C. Hughes, M.L. Swanson, J.C. Austin. J. Electron. Mater., 22, 1011 (1993)
  4. G.Yu. Sidorov, Yu.G. Sidorov, V.S. Varavin. Phys. Status Solidi C, 6, 1630 (2010)
  5. В.С. Варавин, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров. Журн. физ. химии, 84, 1 (2010)
  6. Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (СПб., Наука, 1999) с. 390
  7. В.В. Богобоящий. Конденсированные среды и межфазные границы, 2, 132 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.