"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование свойств монокристаллического алмаза, выращенного из газовой фазы на подложках из природного алмаза
Алтухов А.А.1, Вихарев А.Л.2, Горбачёв А.М.2, Духновский М.П.3, Земляков В.Е.3, Зяблюк К.Н.1, Митенкин А.В.1, Мучников А.Б.2, Радищев Д.Б.2, Ратникова А.К.3, Федоров Ю.Ю.3
1ПТЦ "УралАлмазИнвест", Москва, Россия
2Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3ФГУП "НПП "Исток", Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Представлены результаты исследований выращивания монокристаллических слоев алмаза с ориентацией (100) на подложках из природного алмаза типа IIa и получения полупроводникового алмаза при легировании слоев бором методом ионной имплантации. Найден оптимальный режим восстановления алмаза после имплантации путем отжига, обеспечивающий подвижность ионов, равную 1150 см2/(В·с), наибольшую из получаемых в полупроводниковом алмазе с ионной имплантацией.
  • Алмаз в электронной технике, под ред. В.Б. Кваскова (М., Энергоатомиздат, 1990)
  • K. Kobashi. Diamond Films (Amsterdam, Elsevier, 2005)
  • J. Isberg, J. Hammersberg, E. Johansson et al. Science, 297, 1670 (2002)
  • A. Secroun, O. Brinza, A. Tardieu et al. Phys. Status Solidi, 204a, 4298 (2007)
  • R.S. Balmer, J.R. Brandon, S.L. Clewes et al. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 364 221 (2009)
  • A.B. Muchnikov, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev et al. Diamond Relat. Mater., 19, 432 (2010)
  • M.P. Gaukroger, P.M. Martineau, M.J. Crowder, I. Friel, S.D. Williams, D.J. Twitchen. Diamond Relat. Mater., 17, 262 (2008)
  • А.Л. Вихарев, А.М. Горбачев, В.А. Колданов, Д.Б. Радищев. Физика плазмы, 31, 376 (2005)
  • A. Lohstroh, P.J. Sellin, S.G. Wang et al. Appl. Phys. Lett., 90, 102 111 (2007)
  • В.С. Вавилов. УФН, 164, 429 (1994)
  • А.А. Мельников, А.М. Зайцев, В.И. Курганский и др. В сб.: Алмаз в электронной технике, под ред. В.Б. Кваскова (М., Энергоатомиздат, 1990) с. 228
  • А.И. Пыхтунова, Н.И. Шарапежникова. Активные полупроводниковые приборы на основе алмаза (М., ФГУП << НПП"Пульсар">>, 2007) с. 16 [Обзоры по электрон. техн. Сер. 1. СВЧ техника]
  • K. Ueda, M. Kasu, T. Makimoto. Appl. Phys. Lett., 90, 122 102 (2007)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.