"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние состава слоев SiOx на формирование в них светоизлучающих наноструктур Si под действием быстрых тяжелых ионов
Качурин Г.А.1, Черкова С.Г.1, Марин Д.В.1, Кеслер В.Г.1, Скуратов В.А.2, Черков А.Г.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 24 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Слои SiOx переменного состава с 0<x<2 облучали ионами Xe с энергией 167 МэВ, дозой 1014 см-2 для стимулирования формирования светоизлучающих кремниевых наноструктур. Облучение вызвало появление полосы фотолюминесценции, зависящей от x. С увеличением содержания Si фотолюминесценция вначале росла с максимумом вблизи длины волны lambda~600 нм, а затем максимум смещался к lambda~800 нм. Сделан вывод, что источниками излучения являются квантово-размерные нановыделения, образующиеся в результате диспропорционирования SiOx в треках ионов благодаря высоким ионизационным потерям. Изменения фотолюминесценции с ростом x объясняются увеличением вначале вероятности формирования нановыделений, а затем и их размеров, что приводит к длинноволновому сдвигу. Последующее гашение люминесценции обусловлено снятием квантово-размерных ограничений и коагуляцией.
  • G.A. Kachurin, I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leier, W. Skorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instrum. Meth. B, 112, 571 (1997)
  • G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Martin. R.A. Yankov, M. Deutschmann. Nanotechnology, 19, 355 305 (2008)
  • M. Toulemonde, Ch. Dufour, A. Meftah, E. Paumier. Nucl. Instrum. Meth. B, 166--167, 903 (2000)
  • D. Rodichev, Ph. Lavallard, E. Dooryhee, A. Slaoui, J. Perriere, M. Gandais, Y. Wang. Nucl. Instrum. Meth. B, 107, 259 (1996)
  • P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. J. Appl. Phys., 93 (6), 3486 (2003)
  • P.S. Chaudhari, T.M. Bhave, R. Pasricha, F. Singh, D. Kanjilal, S.V. Bhoraskar. Nucl. Instrum. Meth. B, 239, 186 (2005)
  • W.M. Arnoldbik, N. Tomozeiu, E.D. van Hattum, R.W. Lof, A.M. Vredenberg, F.H.P.M. Habraken. Phys. Rev. B, 71, 125 329 (2005)
  • M. Dovrat, Y. Goshen, J. Jedrzejewski, I. Balberg, A Sa'ar. Phys. Rev. B, 69, 155 311 (2004)
  • А.Н. Карпов, Д.В. Марин, В.А. Володин, J. Jedrzejewski, Г.А. Качурин, E. Savir, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, Y. Goldstein, I. Balberg. ФТП, 42, 747 (2008)
  • С.Н. Шамин, В.Р. Галахов, В.И. Аксенова, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, В.А. Володин, И.В. Антонова, Т.Б. Ежевская, J. Jedrzejewski, E. Savir, I. Balberg. ФТП, 44, 550 (2010)
  • P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
  • G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K.G. Lynn, A. Gambhir, L.F. Di Mauro, C.E. Bottani. J. Appl. Phys., 79, 8660 (1996)
  • S.P. Withrow, C.W. White, A. Meldrum, J.D. Budai, D.M. Hembree jr., J.C. Barbour. J. Appl. Phys., 86, 396 (1999)
  • Y. Batra, T. Mohanty, D. Kanjilal. Nucl. Instrum. Meth. B, 266, 3107 (2008)
  • T.G. Kim, C.N. Whang, Y. Sun, S.-Y. Seo, J.H. Shin, J.H. Song. J. Appl. Phys., 91, 3236 (2002)
  • H. Rinnert, M. Vergnat, A. Burneau. J. Appl. Phys., 89, 237 (2001)
  • S.Q. Wu, C.Z. Wang, Z.Z. Zhu, K.M. Ho. Appl. Phys. Lett., 96, 043 121 (2010)
  • A. Volkov. Nucl. Instrum. Meth. B, 193, 376 (2002)
  • T.Y. Choi, D.J. Hwang, C.P. Grigoropoulos. Opt. Eng., 42 (11), 3383 (2003)
  • K. Sokolowski-Tinten, J. Bialkowski, D. von der Linde. Phys. Rev. B, 51 (20), 14 186 (1995)
  • H.W.K. Tom, G.D. Aumiller, C.H. Brito-Cruz. Phys. Rev. Lett., 60 (14), 1438 (1998)
  • M. Lopez, B. Garrido, C. Bonafos, A. Perez-Rodrigues, J.R. Morante, A. Claverie. Nucl. Instrum. Meth. B, 178, 89 (2001)
  • Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Скуратов, Д.В. Марин, А.Г. Черков. ФТП, 44, 544 (2010)
  • G.S. Chen, C.B. Boothroyd, C.J. Humphreys. Appl. Phys. Lett., 62, 1949 (1993)
  • M. Takeguchi, K. Furuya, K. Yoshihara. Jpn. J. Appl. Phys., 38, 7140 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.