"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние уровня легирования кремнием и характера наноструктурной организации на падение с током внешней квантовой эффективности InGaN/GaN-светодиодов
Бер Б.Я.1, Богданова Е.В.1, Грешнов А.А.1, Закгейм А.Л.1, Казанцев Д.Ю.1, Карташова А.П.1, Павлюченко А.С.1, Черняков А.Е.1, Шабунина Е.И.1, Шмидт Н.М.1, Якимов Е.Б.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 7 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Проведены комплексные исследования синих светодиодов на основе квантово-размерных InGaN/GaN-структур с внешней квантовой эффективностью eta до 40%. Показано, что в общем случае характер зависимости эффективности от плотности тока j определяется конкуренцией вкладов в излучательную рекомбинацию локализованных и делокализованных носителей. Причем вклад последних возрастает по мере ухудшения характера организации наноматериала, повышения температуры и тока накачки, а также с уменьшением ширины обедненного слоя активной области (при нулевом смещении). Наиболее резкое падение эффективности относительно максимума (до 2 раз при j~50 А/см2) наблюдалось при сильном легировании n+-области (до 1019 см-3) и при возникновении компенсированных слоев в активной или p+-области. При j>50 А/см2 доминирует вклад делокализованных носителей и наблюдается единообразный характер зависимостей эффективности от тока, аппроксимируемый eta(j) propto j-b, где 0.2<b<0.3.
  • N.F. Gardner, G.O. Muller, Y.C. Shen, G. Chen, S. Watanabe, W. Gotz, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 91, 243 506 (2007)
  • F. Degave, P. Ruterana, G. Nouet, C.C. Kim. Inst. Phys. Conf. Ser., 169, 281 (2001)
  • R. Chierchia, S. Figge, H. Heinke, D. Hommel. Phys. Status Solidi B, 228, 403 (2001)
  • N.M. Shmidt, G. Aliev, A.N. Besyul'kin, J. Davies, M.S. Dunaevsky, A.G. Kolmakov, A.V. Loskutov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, D. Wolverson, E.E. Zavarin. Phys. Status Solidi C, 0, 558 (2002)
  • A.V. Ankudinov, A.I. Besyulkin, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, V.V. Ratnikov, A.A. Sitnikova, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.B. Yakimov, E.E. Zavarin, R.V. Zolotareva, N.M. Shmidt. Physica B, 340--342, 462 (2003)
  • Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001) с. 124
  • N.M. Shmidt, V.V. Emtsev, A.G. Kolmakov, A.G. Kryzhanovsky, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov, E.E. Zavarin. Nanotechnology, 12, 471 (2001)
  • A.I. Besyulkin, A.P. Kartashova, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, N.M. Shmidt, M.M. Mezdrogina, A.V. Sakharov, A.A. Sitnikova, A.L. Zakgeim, E.E. Zavarin, R.V. Zolotareva, N.M. Shmidt. Phys. Status Solidi C, 2, 837 (2005)
  • N.M. Shmidt, A.G. Kolmakov, M.S. Dunaevsky, V.V. Emtsev, A.S. Kryzhanovsky, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, V.V. Ratnikov, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.E. Zavarin. Inst. Phys. Conf., 169, 341 (2001)
  • S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett., 69, 990 (1996)
  • In-Hwan Lee, J.J. Lee, P. Kung, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 74, 102 (1999)
  • С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. ФТП, 37, 1131 (2003)
  • Ф.Е. Шуберт. Светодиоды (М., Физматлит, 2008) с. 620
  • Н.М. Шмидт, М.Г. Агапов, Е.В. Богданова, А.А. Грешнов, А.Л. Закгейм, Д.А. Лавринович, В.В. Ратников, А.Е. Черняков, Е.Б. Якимов. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы" (СПб., Россия, 2008) с. 113
  • A.E. Chernyakov, M.M. Sobolev, V.V. Ratnikov, N.M. Shmidt, E.B. Yakimov. Superlat. Microstruct., 45, 301 (2009)
  • Y.C. Shen, G.O. Mueller, S. Watanabe, N.F. Gardner, A. Munkholm, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett., 91, 141 101 (2007)
  • В.В. Волков, А.Л. Закгейм. Электроника: Наука, Технология, Бизнес, 3, 106 (1999)
  • K. Kazlauskas, G. Tamulaitis, A. Zukauskas, M.A. Khan, J.W. Yang, J. Zhang, G. Simin, M.S. Shur, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 83, 3722 (2003)
  • V. Potin, A. Rousenauer, D. Gerthsen, B. Kuhn, F. Scholz. Phys. Status Solidi B, 234, 947 (2002)
  • F. Bertram, S. Srinivasan, L. Geng, F.A. Ponce. Appl. Phys. Lett., 80, 3524 (2002)
  • С.Д. Барановский, Б.И. Шкловский. ФТП, 23, 146 (1989)
  • А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.