Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние отжига на электрические свойства монокристаллов PbTe, легированных таллием

Ахмедова Г.А.¹, Абдинова Г.Дж.¹, Абдинов Д.Ш.¹

¹Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 30 сентября 2009 г.

Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

PDF версия

Выяснено, что значения электрических параметров образцов монокристаллов PbTe и характер зависимости этих парамтеров от температуры и концентрации примеси Tl, а также тип проводимости кристаллов (знаки alpha и R) существенно определяются температурой предварительного их отжига. Это объясняется тем, что с ростом температуры отжига растет концентрация двукратно заряженных вакансий в подрешетке теллура, приводящей к увеличению вероятности образования электронейтральных или однократно заряженных комплексов типа примесный атом-вакансия.

А.Н. Вейс, С.А. Немов, В.А. Половинкин, Ю.И. Уханов. ФТП, 11 (5), 669 (1977)
А.Н. Вейс, В.И. Кайданов, С.А. Немов, С.Н. Емелин, А.Я. Ксендзов, Ю.К. Шалабутов. ФТП, 13 (1), 185 (1979)
В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, С.А. Немов. ФТП, 13 (5), 1011 (1979)
В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 26 (2), 201 (1992)
С.А. Немов, Ю.И. Равич. УФН, 168 (8), 817 (1998)
Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 14 (1), 74 (1980)
В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 28 (3), 369 (1994)
Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
С.С. Горелик, М.Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков (М., Металлургия, 1988)
Г.А. Ахмедова, Г.З. Багиева, З.Ф. Агаев, Д.Ш. Абдинов. ФТП, 43 (11), 1456 (2009)
З.Ф. Агаев, Э.М. Аллахвердиев, Г.М. Муртузов, Д.Ш. Абдинов. Неорг. матер., 39 (5), 543 (2003)
М.К. Житинская, В.И. Кайданов, С.А. Немов, Л.А. Афанасьева. ФТП, 22 (11), 2043 (1988)
Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 15 (5), 981 (1981)
Л.И. Бытенский, В.И. Кайданов, В.П. Макеенко, Р.Б. Мельник, С.А. Немов. ФТП, 18 (3), 489 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель