"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Распределение по энергии атомов отдачи и формирование радиационных дефектов в пленках карбида кремния при протонном облучении
Иванов А.М.1, Козловский В.В.2, Строкан Н.Б.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 21 января 2011 г.

Проведено численное моделирование рассеяния протонов в пленке карбида кремния. Получены гистограммы распределения энергии, передаваемой атомам отдачи. При анализе гистограмм рассмотрены две области энергий. В первой области "малых" энергий создаются одиночные пары Френкеля с близко расположенными компонентами. Атомы отдачи второй области обладают энергией, достаточной для возникновения каскада смещений. В результате возникают микроскопические по объему области с высокой плотностью вакансий и различного рода их комплексов.
  • В.В. Емцев, А.М. Иванов, В.В. Козловский, А.А. Лебедев, Г.А. Оганесян, Н.Б. Строкан. ФТП, 44 (5), 706 (2010)
  • Ion Implantation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Academic Press. Inc., 1984)
  • J.W. Steeds, F. Carosella, G.A. Evans, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli. Mater. Sci. Forum, 353--356, 381 (2001)
  • J.W. Steeds, G.A. Evans, S. Furkert, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli, F. Carosella. Diamond Relat. Mater., 11, 1932 (2002)
  • В.В. Козловский, В.В. Емцев, К.В. Емцев, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, В.Н. Ломасов, Г.А. Оганесян, А.А. Лебедев. ФТП, 42 (2), 243 (2008)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.