"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Распределение по энергии атомов отдачи и формирование радиационных дефектов в пленках карбида кремния при протонном облучении
Иванов А.М.1, Козловский В.В.2, Строкан Н.Б.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.

Проведено численное моделирование рассеяния протонов в пленке карбида кремния. Получены гистограммы распределения энергии, передаваемой атомам отдачи. При анализе гистограмм рассмотрены две области энергий. В первой области "малых" энергий создаются одиночные пары Френкеля с близко расположенными компонентами. Атомы отдачи второй области обладают энергией, достаточной для возникновения каскада смещений. В результате возникают микроскопические по объему области с высокой плотностью вакансий и различного рода их комплексов.
  1. В.В. Емцев, А.М. Иванов, В.В. Козловский, А.А. Лебедев, Г.А. Оганесян, Н.Б. Строкан. ФТП, 44 (5), 706 (2010)
  2. Ion Implantation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Academic Press. Inc., 1984)
  3. J.W. Steeds, F. Carosella, G.A. Evans, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli. Mater. Sci. Forum, 353--356, 381 (2001)
  4. J.W. Steeds, G.A. Evans, S. Furkert, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli, F. Carosella. Diamond Relat. Mater., 11, 1932 (2002)
  5. В.В. Козловский, В.В. Емцев, К.В. Емцев, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, В.Н. Ломасов, Г.А. Оганесян, А.А. Лебедев. ФТП, 42 (2), 243 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.