Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурные и оптические свойства InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей

Усов С.О.^1,2, Заварин Е.Е.^1,2, Цацульников А.Ф.^1,2, Лундин В.В.^1,2, Сахаров А.В.^1,2, Николаев А.Е.^1,2, Синицын М.А.^1,3, Крыжановская Н.В.¹, Трошков С.И.¹, Леденцов Н.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 14 ноября 2009 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование структурных и оптических свойств InAlN/GaN распределенных брегговских отражателей, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на сапфировых подложках. Исследовано влияние режимов роста и толщин слоев InAlN на структурные свойства распределенных брегговских отражателей. Показано, что оптимизация режимов эпитаксиального роста позволяет создавать InAlN/GaN распределенные брегговские отражатели с коэффициентом отражения более 99% и максимумом отражения в диапазоне длин волн 460-610 нм.

F. Calle, F.B. Naranjo, S. Fernandez, M.A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, E. Munoz. Phys. Status Solidi A, 192, 277 (2002)
Y. Yang, G.A. Turnbull, I.D.W. Samuel. Appl. Phys. Lett., 92, 163 306 (2008)
R. de Mierry, J.M. Bethoux, H.P.D. Schenk, M. Vaille, E. Feltin, B. Beamount, M. Leroux, S. Dalmasso, P. Gibart. Phys. Status Solidi B, 242, 2326 (2005)
O. Mitrofanov, S. Schmult, M.J. Manfra, T. Siegrist, N.G. Weimann, A.M. Sergent, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett., 88, 171 101 (2006)
W.V. Lundin. Proc Eur. Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (EW-MOVPE) XIII (Ulm, Germany, 2009)
Ammon Yariv, Pochi Yeh. J. Opt. Soc. Amer., 67, 438 (1977)
J. Off, F. Scholz, E. Fehrenbacher, O. Gfro\`Erer, A. Hangleiter, G. Brockt, H. Lakner. Phys. Status Solidi B, 216, 529 (1999)
J.E. Northrup, J. Neugebauer. Phys. Rev. B, 60, R8473 (1999)
Pochi Yeh, Ammon Yariv, Chi-Shain Hong. J. Opt. Soc. Amer., 67, 423 (1977)
H.A. Macleod. Thin-Film Optical Filters. 3rd edn. (Bristol, UK, Institute of Physics Publishing, 2001)
Dong Xue Wang, Ian T. Ferguson, John A. Buck. Appl. Optics, 46, 4763 (2007)
J.-F. Carlin, P. Royo, R.P. Stanley, R. Houdre, J. Spicher, U. Oesterle, M. I1egems, I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель