Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 7 » Статья стр. 986
<<<>>>
Технология получения одномерных фотонных кристаллов с помощью фотоэлектрохимического травления кремния
Жарова Ю.А.1, Федулова Г.В.1, Гущина Е.В.1, Анкудинов А.В.1, Астрова Е.В.1, Ермаков В.А.2,3, Перова Т.С.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Dublin, Trinity College, Dublin 2, Ireland
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.
PDF версия
Анализируются условия формирования глубоких периодических щелей в процессе фотоэлектрохимического травления n-Si ориентации (100) с линейными затравками на поверхности. Сформулированы критерии для выбора периода затравочных канавок и для плотности тока травления в зависимости от уровня легирования подложки. Характерной особенностью полученных структур является гофрировка их стенок, обусловленная следами слившихся макропор. С помощью атомно-силовой микроскопии исследована неровность стенок в зависимости от режима травления и найдена плотность тока, при которой можно получить наиболее гладкие стенки. Их шероховатость в структурах с периодом 7 и 9 мкм на Si с удельным сопротивлением 15 Ом·см составила ~40 нм. Показано, что дополнительная обработка структур в щелочных растворах может уменьшить шероховатость стенок примерно в 2 раза.
  1. Е.В. Астрова, Т.С. Перова, В.А. Толмачев, А.Д. Ременюк, J. Vij, A. Moore. ФТП, 37 (4), 417 (2003)
  2. V. Tolmachev, E. Astrova, T. Perova, J. Pilyugina, A. Moore. Phys. Status Solidi C, 2 (9), 3288 (2005)
  3. V.A. Tolmachev, E.V. Astrova, J.A. Pilyugina, T.S. Perova, A. Moore, J.K. Vij. Opt. Mater., 27 (5), 831 (2005)
  4. G. Barillaro, A. Nannini, F. Pieri. J. Electrochem. Soc., 149 (3), 180 (2002)
  5. G. Barillaro, A. Nannini, M. Piotto. Sensors Actuators A, 102, 195 (2002)
  6. E.V. Astrova, A.A. Nechitailov, V.A. Tolmachev, V.A. Melnikov, T.S. Perova. Phys. Status Solidi A, 206 (6), 1235 (2009)
  7. E.V. Astrova, G.V. Fedulova. J. Micromech. Microeng., 19, 095 009 (2009). http://stacks.iop.org/JMM/19/000000
  8. V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 137, 653 (1990)
  9. V. Lehmann. Electrochemistry of Silicon (Wiley--VCH, 2002)
  10. H. Foll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse. Mater. Sci. Eng. R, 39, 93 (2002)
  11. T. Geppert, S.L. Schweizer, U. Gosele, R.B. Wehrspohn. Appl. Phys. A, 84, 237 (2006)
  12. R.B. Wehrspohn, S.L. Schweizer, V. Sandoghdar. Phys. Status Solidi A, 204 (11), 3708 (2007)
  13. E.V. Astrova, V.A. Tolmachev, G.V. Fedulova, V.A. Melnikov, A.V. Ankudinov, T.S. Perova. In: Appl. Phys. A, DOI 10.1007/s00339-009-5469-7
  14. Е.В. Астрова, В.А. Толмачев, Г.В. Федулова, V.A. Melnikov, T.S. Perova. Изв. РАН. Сер. физ., 74 (1), 72 (2010)
  15. Е.В. Астрова, А.А. Нечитайлов. ФТП, 42 (6), 747 (2008)
  16. Е.В. Астрова, Т.Н. Боровинская, Т.С. Перова, М.В. Заморянская. ФТП, 38 (9), 1121 (2004)
  17. A. Zubel, M. Kramkowska. Sensors Actuators A, 93, 138 (2001)
  18. A. Zubel, M. Kramkowska. Sensors Actuators A, 101, 255 (2002)
  19. V. Lehmann. Phys. Status Solidi A, 204 (5), 1318 (2007)
  20. D. Nilsson, S. Jensen, A. Menon. J. Micromech. Microeng., 13, S57, (2003)
  21. E. van Veenendaal, K. Sato, M. Shikida, J. van Suchtelen. Sensors Actuators A, 93, 219 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme