Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сравнительный анализ эффективности фотопреобразования в кремниевых солнечных элементах при концентрированном освещении для стандартной и тыловой геометрий расположения контактов

Саченко А.В.¹, Горбань А.П.¹, Костылев В.П.¹, Серба А.А.¹, Соколовский И.О.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 8 ноября 2006 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В достаточно реальных приближениях развита теория фотопреобразования в кремниевых солнечных элементах при концентрированном освещении для тыловой и стандартной геометрий расположения токособирающих контактов. Учтено отличие влияния разогрева на кпд солнечных элементов с тыловой и стандартной металлизацией. Выполнен сравнительный анализ полученных результатов для двух указанных геометрий. Показано, что кремниевые солнечные элементы с тыловой металлизацией, в принципе, могут обладать более высокой эффективностью фотопреобразования. Получено совпадение развитой теории с экспериментом. PACS: 72.20.Jv, 73.40.Cg, 84.60.Jt, 85.30.De

R.J. Schwartz. Solar Cells, 3, 17 (1982)
R.M. Swanson. Solar Cells, 17, 85 (1986)
P. Verlinden, G. Van de Wiele Stehelin, F. Floret, J.P. David. Proc. IEEE, 75, 405 (1987)
A.P. Gorban, V.P. Kostylyov, A.V. Sachenko, A.A. Serba. Semiconductor Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 2, 45 (1999)
A.V. Sachenko, A.P. Gorban, V.P. Kostylyov. Semiconductor Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3, 5 (2000)
А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.П. Костылев, И.О. Соколовский. ФТП, 40, 909 (2006)
В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
P.P. Altermatt, A. Schenk, F. Geelhaar, G. Heiser. J. Appl. Phys., 93, 1598 (2003)
A.P. Gorban, A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, N.A. Prima. Semiconductor Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3, 322 (2000)
A.V. Sachenko, A.P. Gorban, Semiconductor Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 2, 42 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель