Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Использование пространственно упорядоченных массивов травленых отверстий для создания одномодовых вертикально излучающих лазеров на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек

Кузьменков А.Г.¹, Блохин С.А.², Малеев Н.А.², Сахаров А.В.², Тихомиров В.Г.³, Максимов М.В.², Устинов В.М.¹, Ковш А.Р.⁴, Михрин С.С.⁴, Леденцов Н.Н.^2,5, Yang H.P.D.⁶, Lin G.⁶, Hsiao R.S.⁶, Chi J.Y.⁶

¹Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

⁴NL-Nanosemiconductors GmbH, Dortmund, Germany
⁵Institute for Solid State Physics, Technical University of Berlin, Berlin, Germany
⁶Industrial Technology Research Institute, Chutung, Taiwan, Republic of China

Поступила в редакцию: 9 ноября 2006 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Для подавления генерации мод высокого порядка в вертикально излучающих лазерах на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек применен метод формирования пространственно-упорядоченного массива протравленных отверстий в верхнем распределенном брэгговском отражателе. Продемонстрированы одномодовые вертикально излучающие лазеры спектрального диапазона 990 нм с диаметром токовой апертуры 20 мкм, пороговым током 0.9 мА и максимальной выходной мощностью до 3.8 мВт при комнатной температуре. Одномодовая генерация с коэффициентом подавления боковых мод более 35 дБ сохраняется во всем диапазоне токов накачки. Уменьшение токовой оксидной апертуры до размеров, близких к оптической апертуре, приводит к увеличению внешней квантовой эффективности, однако при этом наблюдается переход к многомодовому режиму генерации при больших токах накачки. PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb. 81.07.Ta

C.W. Wilmsen, H. Temkin, L.A. Coldren. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers (Cambridge University Press, 1999)
V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov. Phys. Status Solidi A, 202, 396 (2005)
K. Tai, R.J. Fischer, K.W. Wang, S.N.G. Chu, A.Y. Cho. Electron. Lett., 25, 1644 (1989)
K.D. Choquette, H.Q. Hou. Proc. IEEE, 85, 1730 (1997)
N. Ueki, A. Sakamoto, T. Nakamura, H. Nakayama, J. Sakurai, H. Otoma, Y. Miyamoto, M. Yoshikawa, M. Fuse. IEEE Phot. Techn. Lett., 11, 1539 (1999)
A.J. Fischer, K.D. Choquette, W.W. Chow, A.A. Alleman, K.M. Geib. Proc. 136^th Annual Meeting IEEE Lasers and Electro-Optics Society, November 15--16, 2000 (Pueirts Rico, USA) p. 802
T.H. Hsueh, H.C. Kuo, F.I. Lai, L.H. Laih, S.C. Wang. Electron. Lett., 39, 1519 (2003)
C.C. Chen, S.J. Liaw, Y.J. Yang, Y.C. Yu, C.Y. Lin. Optical Fiber Commun. Conf., 151 (2002)
D. Zhou, L.J. Mawst. IEEE J. Quant. Electron., 38, 1599 (2002)
H.J. Unold, M. Grabherr, F. Eberhard, F. Mederer, R. Jager, M. Riedl, K.J. Ebeling. Electron. Lett., 35, 1340 (1999)
D.S. Song, S.H. Kim, H.G. Park, C.K. Kim, Y.H. Lee. Appl. Phys. Lett., 80, 3901 (2002)
N. Yokouchi, A.J. Danner, K.D. Choquette. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 9, 1439 (2003)
G.P. Agrawal. Fiber-Optic Communication Systems (N.Y., Wiley, 1997)
A.J. Danner, J.J. Raftery, jr., N. Yokouchi, K.D. Choquette. Appl. Phys. Lett., 84, 1031 (2004)
С.А. Блохин, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Ю.М. Шерняков, И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев, В.В. Дюделев, Г.С. Соколовский, В.И. Кучинский, М.М. Кулагина, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Н.Н. Леденцов. ФТП, 40, 633 (2006).
A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, D.S. Livshits, I.S. Tarasov, D.A. Bedarev, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nkov, I.P. Soshnikov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 35, 1845 (1999)
G.R. Hadley. Optics Lett., 20, 1483 (1995)
V. Bardinal, L. Averseng, C. Bringer, T. Camps, J. Polesel-Maris, P. Dubreuil, C. Fontaine, E. Bedel-Pereira, C. Vergnenegre, A. Munoz-Yague. Appl. Phys. Lett., 81, 1771 (2002)
S.A. Blokhin, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, A.V. Sakharov, M.M. Kulagina, Y.M. Shernyakov, I.I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh. S.S. Mikhrin, N.N. Ledentsov, G. Lin, J.Y. Chi. IEEE J. Quant. Electron., 42, 849 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель