Вышедшие номера
Особенности трансформации малых квадратных зон при их термомиграции через пластину кремния (100)
Середин Б.М. 1, Попов В.П. 1, Малибашев А.В. 1, Степченко А.Д. 1, Скиданов А.А.2, Коновалов А.В.2, Царева Е.А.2
1Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
2АО " ВЗПП-Микрон", Воронеж, Россия
Email: seredinboris@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 мая 2026 г.
В окончательной редакции: 22 июня 2026 г.
Принята к печати: 23 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 1 октября 2026 г.

Экспериментально обнаружен и изучен новый эффект при термомиграции через пластину кремния (100) алюминиевых зон, сформированных из линейных элементов в виде замкнутого квадрата со стороной <520 мкм, проявляющийся в сложной трансформации жидкой зоны и формировании эпитаксиального канала бокалообразной формы. Границы канала образуют в пластине два криволинейных p-n-перехода, обладающих разными электрофизическими свойствами. Внешний переход имеет участки с таким же знаком кривизны, как и на закруглениях обычных p-n-переходов, полученных с помощью планарной диффузии. Внутренний p-n-переход имеет противоположный (отрицательный) знак кривизны, недостижимый в обычных переходах. Показано, что такая кривизна внутреннего перехода приводит к расширению области пространственного заряда в слаболегированном материале n-типа и к увеличению пробивного напряжения p-n-перехода. Ключевые слова: термомиграция, кремний, квадратные зоны, трансформация, напряжение пробоя.
  1. T.R. Anthony, J.K. Boah, M.F. Chang, H.E. Cline. IEEIC Trans. Electron Dev., 23 (8), 818 (1976). DOI: 10.1109/T-ED.1976.18492
  2. A. Audebert, B. Morillon, B.L. Borgne, G. Gautier. 2024 Int. Semiconductor Conf. (CAS) (Sinaia, Romania, 2024) p. 185. DOI: 10.1109/CAS62834.2024.10736804
  3. B. Lu, G. Gautier, D. Valente, B. Morillon, D. Alquier. Microelectron. Eng., 149, 97 (2016). DOI: 10.1016/j.mee.2015.10.004
  4. Б.М. Середин, В.П. Попов, А.В. Малибашев. Письма ЖТФ, 50 (7), 17 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.07.57463.19805
  5. Б.М. Середин, В.П. Попов, А.В. Малибашев, А.Д. Степченко, И.В. Гаврус. Прикл. физика, 3, 78 (2024). DOI: 10.51368/1996-0948-2024-3-78-85
  6. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 116

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.